搜索页_+ReRAM

常用资源

电子图书

期刊论文

学位会议

外文资源

特色专题

内部出版物

在“Elsevier电子期刊”中，命中：79条，耗时：小于0.01 秒

1.Resistive random access memories fabricated by using solution-processed AlZnSnO semiconductor films and indium ball electrodes

作者：Chih-Chieh Hsu^a ; ^b ; ^c ; ^{cchsu@yuntech.edu.tw} ; Yu-Ting Chen^c ; Che-Chang Tsao^c

关键词：Thin films ; Semiconductor devices ; Electrical characteristic ; Solution process ; Memories

刊名：Journal of Alloys and Compounds

出版年：2017

2.Recombinant azurin-CdSe/ZnS hybrid structures for nanoscale resistive random access memory device

作者：Ajay Kumar Yagati^a ; ^b ; Sang-Uk Kim^a ; Taek Lee^c ; Junhong Min^d ; Jeong-Woo Choi^a ; ^e ; ^{jwchoi@sogang.ac.kr}

关键词：Biohybrid ; Recombinant technology ; Random access memory ; Electrical bistability ; Bioelectronic device

刊名：Biosensors and Bioelectronics

出版年：2017

3.Effects of substrate temperature on resistive switching behavior of planar ZnO resistive random access memories

作者：Chih-Chieh Hsu^a ; ^b ; ^c ; ^{cchsu@yuntech.edu.tw" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Wei-Chieh Ting^c ; Yu-Ting Chen^c

关键词：Semiconductor device ; Resistive memory ; Oxide semiconductor material

刊名：Journal of Alloys and Compounds

出版年：2017

4.Impact of resistive paths on NVM array reliability: Application to Flash & ReRAM memories

作者：P. Canet ; ^{pierre.canet@univ-amu.fr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; J. Postel-Pellerin ; H. Aziza

关键词：Line resistance ; Voltage drop ; Memory array sizing ; Flash ; ReRAM

刊名：Microelectronics Reliability

出版年：2016

5.Array-level stability enhancement of 50 nm Al_xO_y ReRAM

作者：Tomoko Ogura Iwasaki^a ; ^{iwasaki900@takeuchi-lab.org" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Sheyang Ning^a ; ^b ; Hiroki Yamazawa^a ; Ken Takeuchi^a

关键词：ReRAM ; Stability ; Fix ; Stability verify ; Random telegraph noise

刊名：Solid State Electronics

出版年：2015

6.Resistive switching in polymethyl methacrylate thin films

作者：Jimmy Mangalam^a ; Shivani Agarwal^b ; A.N. Resmi^b ; M. Sundararajan^c ; K.B. Jinesh^b ; ^{kbjinesh@iist.ac.in" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：ReRAM ; Electrical bistability ; PMMA ; Resistive switching

刊名：Organic Electronics

出版年：2016

7.Resistive RAM variability monitoring using a ring oscillator based test chip

作者：H. Aziza ; ^{hassen.aziza@univ-amu.fr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; J.-M. Portal

关键词：Resistive RAM ; Oxide based RAM ; Oscillator ; Test structure ; Variability

刊名：Microelectronics Reliability

出版年：2016

8.Design and verification of Cyber-Physical Systems using TrueTime, evolutionary optimization and UPPAAL

关键词：Cyber-Physical Systems (CPS) ; Jitter bound ; Evolutionary Algorithm Multi-objective Optimization (EMO) ; Non-dominated Sorting Genetic Algorithm II (NSGA II) ; UPPAAL ; Model checking

刊名：Microprocessors and Microsystems

出版年：2016

9.Corrigendum to ‘‘A Multilevel Memristor-CMOS memory cell as A ReRAM’’ [Microelectron. J. 46 (2015) 1283-1290]

作者：Payam Rabbani^a ; Rasoul Dehghani^a ; Nima Shahpari^b ; ^{n.shahpari@eng.ui.ac.ir" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

刊名：Microelectronics Journal

出版年：2016

10.Resistive Switching in Aqueous Nanopores by Shock Electrodeposition

作者：Ji-Hyung Han^a ; ¹ ; Ramachandran Muralidhar^c ; Rainer Waser^d ; ^e ; ² ; Martin Z. Bazant^a ; ^b ; ² ; ³ ; ^{bazant@mit.edu}

关键词：shock electrodeposition ; resistive switching ; over-limiting current ; charged nanopores ; deionization shock wave

刊名：Electrochimica Acta

出版年：2016

按检索点细分(79)

题名(17)

作者(2)

关键词(49)

文摘(44)

按出版年细分(79)

2027年及以后(5)

2017年(3)

2016年(8)

2015年(9)

2013年(14)

2012年(10)

2011年(8)

2010年(8)

2009年(4)

2008年(3)

2007年(3)

2000年及以前(4)

地址：北京市海淀区学院路29号邮编：100083

电话：办公室：(+86 10)66554848；文献借阅、咨询服务、科技查新：66554700