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1. Capacitance and Conductance–Frequency Characteristics of Au/n-Si Schottky Structure with Perylene-Diimide (PDI) Organic Interlayer

作者： Ö. F. Yüksel ; M. Kuş ; M. Yıldırım

关键词：Schottky device ; perylene ; diimide ; spin coating ; interface trap density ; relaxation time

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2017

2. Fabrication of p-type ZnTe NW/In Schottky diodes for high-speed photodetectors

作者： Yuan Chang ; Di Wu ; Tingting Xu ; Zhifeng Shi…

刊名：Journal of Materials Science: Materials in Electronics

出版年：2017

3. Design and Performance of (Au,Yb)/ZnS/InSe/C Heterojunctions as Plasmon Resonators, Photodetectors and Microwave Cavities

作者： Najla M. Khusayfan ; Hazem K. Khanfar

关键词：Plasmon ; ZnS ; InSe ; terahertz ; gigahertz ; high responsivity

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2017

4. Barrier modification of Au/n-GaAs Schottky structure by organic interlayer

作者： A. Bobby ; N. Shiwakoti ; P. S. Gupta ; B. K. Antony

关键词：Au/n ; GaAs ; Schottky contacts ; Interface modification ; Organic interlayer ; 73.30. + y ; 73.40.c ; 73.40.Qv ; 73.50.Gr ; 68.08.p

刊名：Indian Journal of Physics

出版年：2016

5. Analysis of inhomogeneous device parameters using current–voltage characteristics of identically prepared lateral Schottky structures

作者： N. Tuğluoğlu ; H. Koralay ; K. B. Akgül ; Ş. Çavdar

关键词：Schottky structure ; Current–voltage ; Barrier height ; Ideality factor ; Series resistance ; Interface state density ; 73.40.Sx ; 85.30.Hi ; 85.30.Kk

刊名：Indian Journal of Physics

出版年：2016

6. Enhancement of the Schottky Effect in a Si(100)—Water System Using Porous Polymeric Track-Etched Membranes

作者： S. N. Novikov ; S. P. Timoshenkov ; N. E. Korobova…

关键词：Schottky effect ; electronic work function ; porous structure

刊名：Russian Journal of Physical Chemistry A, Focus on Chemistry

出版年：2016

7. Formation of Ni Diffusion-Induced Surface Traps in GaN/Al x Ga1↿em>x N/GaN Heterostructures on Silicon Substrate During Gate Metal Depos

作者： R. S. Kajen ; L. K. Bera ; H. R. Tan ; S. B. Dolmanan…

关键词：GaN ; Si substrate ; traps ; metal diffusion ; Schottky contact

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2016

8. Impact of indium mole fraction on the quantum transport of ultra-scaled In x Ga1–x As double-gate Schottky MOSFET: tight-binding approach

作者： Zahra Ahangari

刊名：Applied Physics A: Materials Science & Processing

出版年：2016

9. Internal field emission nature of the fine structure of tunnel spectra in icosahedral quasicrystals

作者： A. F. Prekul ; N. I. Schegolikhina

刊名：JETP Letters

出版年：2016

10. On the band-structure lineup at Ga2O3, Gd2O3, and Ga2O3(Gd

作者： Winfried Mönch

刊名：Journal of Materials Science: Materials in Electronics

出版年：2016

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