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中图分类法(14)

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在“CNKI学位论文”中，命中：14条，耗时：小于0.01 秒

1.InAs/GaSb超晶格界面微观结构研究

作者：邱永鑫

关键词：分子束外延 ; GaSb ; InAs/GaSb超晶格 ; 位错 ; 界面

论文级别：博士

学位年度：2008

2.微区中分子束外延生长SiGe/Si异质结构研究

作者：杨鸿斌

关键词：分子束外延 ; SiGe/Si异质结 ; 位错 ; 纳米结构 ; 应变

论文级别：博士

学位年度：2007

3.高效大功率LED外延片用蓝宝石图形衬底的制备及其评价

作者：崔林

关键词：图形化蓝宝石衬底 ; 电子束光刻 ; 激光干涉光刻 ; 固相反应 ; 发光二极管

论文级别：博士

学位年度：2014

4.X波段AlGaN/GaN HEMT器件物理与相关实验研究

作者：杜江锋

关键词：AlGaN/GaN ; HEMT ; 器件物理 ; 电流崩塌 ; 异质结构 ; 极化效应

论文级别：博士

学位年度：2010

5.GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究

作者：孙佳胤

关键词：GaN ; SOI ; MOCVD ; 柔性衬底

论文级别：博士

学位年度：2007

6.通信光电子半导体材料异质兼容的理论与实验研究

作者：熊德平

关键词：第一性原理计算 ; 能隙弯曲参数 ; 异质外延 ; 光电子集成

论文级别：博士

学位年度：2007

7.用于固态照明的非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长及表征

作者：孙玉芹

关键词：金属有机化学气相沉积 ; 非极性α面氮化镓 ; X-ray衍射 ; 原子力显微镜 ; 透射电子显微镜

论文级别：博士

学位年度：2011

8.基于低温InGaP组分渐变缓冲层的InP/GaAs异质外延

作者：刘红兵

关键词：低压MOCVD ; 异质外延 ; 组分渐变缓冲层 ; In_xGa_(1-x)P ; 光探测器

论文级别：硕士

学位年度：2009

9.Si基SiGe弛豫衬底及SiGe/Si量子阱生长与表征

作者：廖凌宏

关键词：UHV/CVD系统 ; SiGe弛豫衬底 ; 低温Ge层 ; SiGe/Si量子阱

论文级别：硕士

学位年度：2009

10.氧化法制备硅基SiGe弛豫衬底的研究

作者：蔡坤煌

关键词：SiGe弛豫衬底 ; SiGeOI缓冲层 ; 氧化 ; Ge浓缩

论文级别：硕士

学位年度：2008

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