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1.部分绝缘键合SOI新结构及应用基础研究

作者：谭开洲

关键词：部分绝缘键合SOI结构 ; 微观作用机理 ; VDMOS大负载X射线辐射模型 ; 埋层结构电阻模型 ; BCD集成工艺

论文级别：博士

学位年度：2008

2.射频功率LDMOS器件的研究

作者：王一鸣

关键词：射频功率LDMOS ; 槽形结构 ; PSOI(部分SOI) ; n埋层 ; 寄生电容

论文级别：硕士

学位年度：2007

3.射频功率LDMOS器件设计

作者：冯曦

关键词：射频功率 ; LDMOS ; 准饱和

论文级别：硕士

学位年度：2006

4.基于ADS的基站射频功率放大器的设计与仿真

作者：崔庆虎

关键词：功率放大器 ; 基站 ; 负载牵引法 ; 阻抗匹配 ; 高级设计系统

论文级别：硕士

学位年度：2012

5.体硅/SOI MOSFET与LDMOS的非准表态效应研究

作者：程玮

关键词：非准静态效应 ; 绝缘衬底上硅 ; 横向双扩散MOSFET ; MOSFET

论文级别：硕士

学位年度：2011

6.通信系统中电磁脉冲效应的混合仿真方法和作用机理研究

作者：刘其凤

关键词：电磁脉冲(EMP) ; 时域有限差分(FDTD) ; 亚网格技术 ; 集总参数电路 ; 屏蔽电缆 ; 多导体传输线 ; 有限元 ; 交替隐式时域有限差分(ADI-FDTD) ; 无条件稳定 ; 基于局部一维坐标的时域有限差分(LOD-FDTD)

论文级别：博士

学位年度：2010

7.功率VDMOS器件结构设计

作者：张方媛

关键词：VDMOS ; 虚拟栅 ; 分栅 ; 场限环 ; 击穿电压

论文级别：硕士

学位年度：2009

8.射频SOI-LDMOS器件设计

作者：李家贵

关键词：SOI-LDMOS ; 参数 ; 击穿电压 ; 电学特性

论文级别：硕士

学位年度：2009

9.射频LDMOS的击穿电压与静电保护

作者：习毓

关键词：RESURF ; 雪崩击穿电压 ; ESCR-LDMOS ; 静电放电 ; 二次电流

论文级别：硕士

学位年度：2008

10.LDMOS渐变沟道电流分析与建模研究

作者：谢文妞

关键词：LDMOS ; 横向渐变掺杂沟道 ; 表面势模型 ; 电流模型

论文级别：硕士

学位年度：2010

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