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1.高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
标准编号：GB/T 24576-2009
标准类型：国家标准
发布单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
2.酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
标准编号：GB/T 24582-2009
标准类型：国家标准
发布单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
3.非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
标准编号：GB/T 4326-2006
标准类型：国家标准
发布单位：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC)
发布日期：2006-07-18
实施日期：2006-11-01
4.半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
标准编号：GB/T 6616-1995
标准类型：国家标准
发布日期：1995-04-18
实施日期：1995-12-01
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