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1.硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
标准编号：GB/T 24574-2009
标准类型：国家标准
发布单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
2.低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
标准编号：GB/T 24581-2009
标准类型：国家标准
发布单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
3.锑化铟多晶、单晶及切割片
标准编号：GB/T 11072-2009
标准类型：国家标准
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
4.砷化镓单晶位错密度的测量方法
标准编号：GB/T 8760-2006
标准类型：国家标准
发布单位：全国有色金属标准化技术委员会
发布日期：2006-07-18
实施日期：2006-11-01
5.非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
标准编号：GB/T 4326-2006
标准类型：国家标准
发布单位：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC)
发布日期：2006-07-18
实施日期：2006-11-01
6.半导体单晶晶向测定方法
标准编号：GB/T 1555-1997
标准类型：国家标准
关键词：晶体 ; 测量 ; 晶向 ; 半导体单
发布单位：中国有色金属工业总公司标准计量研究所
发布日期：1997-12-22
实施日期：1998-08-01
7.非本征半导体材料导电类型测试方法
标准编号：GB/T 1550-1997
标准类型：国家标准
关键词：晶体硅 ; 半导体材料单 ; 电导测量法
发布单位：中国有色金属工业总公司标准计量研究所
发布日期：1997-06-03
实施日期：1997-12-01
8.硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
标准编号：GB/T 1553-1997
标准类型：国家标准
发布单位：中国有色金属工业总公司标准计量研究所
发布日期：1997-06-03
实施日期：1997-12-01
9.铌酸锂单晶
标准编号：GB/T 14843-1993
标准类型：国家标准
发布日期：1993-12-30
实施日期：1994-09-01
10.非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
标准编号：GB/T 4326-1984
标准类型：国家标准
发布日期：1984-04-12
实施日期：1985-03-01
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