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1.Efficient modeling of GaN HEMTs for linear and nonlinear circuits design
刊名：International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields
出版年：2017
6.Nonlinear modeling method for DC trans-conductance determination of GaAs MHEMTs
刊名：Microwave and Optical Technology Letters
出版年：2017
8.Guest editorial for the special issue on linear and nonlinear modeling of GaN transistors and circuits
作者：Antonio Raffo
刊名：International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields
出版年：2017
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