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10. Physical and chemical mechanisms in oxide-based resistance random access memory
作者：Kuan-Chang Chang (1)
Ting-Chang Chang (2)
Tsung-Ming Tsai (1)
Rui Zhang (3)
Ya-Chi Hung (1)
Yong-En Syu (2)
Yao-Feng Chang (4)
Min-Chen Chen (2)
Tian-Jian Chu (1)
Hsin-Lu Chen (5)
Chih-Hung Pan (1)
Chih-Cheng Shih (1)
Jin-Cheng Zheng (6)
Simon M Sze (2) (7)

1. Department of Materials and Optoelectronic Science ; National Sun Yat-Sen University ; Kaohsiung ; Taiwan
2. Department of Physics ; National Sun Yat-Sen University ; Kaohsiung ; Taiwan
3. Information Technology Center ; BGP ; China National Petroleum Corporation ; Beijing ; China
4. Microelectronics Research Center ; The University of Texas at Austin ; Austin ; TX ; 78758 ; USA
5. Department of Mechanical and Electro-Mechanical Engineering ; National Sun Yat-Sen University ; Kaohsiung ; Taiwan
6. Department of Physics ; Xiamen University ; Xiamen ; 361005 ; China
7. Department of Electrical Engineering ; Stanford University ; Stanford ; CA ; 94305 ; USA
刊名：Nanoscale Research Letters
出版年：2015
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