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8. Influence of patterned sapphire substrates with different symmetry on the light output power of InGaN-based LEDs
作者：Yao-Hong You (1)
Vin-Cent Su (1)
Ti-En Ho (2)
Bo-Wen Lin (3)
Ming-Lun Lee (1)
Atanu Das (2)
Wen-Ching Hsu (4)
Chieh-Hsiung Kuan (1)
Ray-Ming Lin (2)

1. Graduate Institute of Electronic Engineering and Department of Electrical Engineering ; National Taiwan University ; No. 1 ; Roosevelt Road Section 4 ; Daan District ; Taipei ; 10617 ; Taiwan
2. Graduate Institute of Electronic Engineering and Green Technology Research Center ; Chang Gung University ; 259 Wen-Hwa 1st Road ; Kwei-Shan ; Tao-Yuan ; 333 ; Taiwan
3. Department of Materials Science and Engineering ; National Chiao Tung University ; No. 1001 ; Daxue Road ; East District ; Hsinchu ; 300 ; Taiwan
4. Sino-American Silicon Products Incorporated ; No. 8 ; Industrial East Road 2 ; Science-Based Industrial Park ; Hsinchu ; 300 ; Taiwan
刊名：Nanoscale Research Letters
出版年：2014
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