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5.考虑结深的超短沟道MOSFET二维半解析模型
作者：韩名君
关键词：半解析法 ; 电势 ; 结深 ; MOSFET
论文级别：博士
学位年度：2014
10.4H-SiC MESFET非线性模型研究
作者：曹全君
论文级别：博士
学位年度：2008
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