搜索页_MOSFET

网站地图 | English | 公务邮箱

读者指南

学术客户端

NSTL服务站

科技查新

常用资源

内部出版物

中国地质文献-英文(1)	Springer电子图书(29)	CNKI会议论文(11)	CNKI期刊论文0611(2)	万方学位论文(44)
馆藏期刊(23)	万方学术会议(13)	CNKI学位论文(4289)	知网期刊论文(4268)

中图分类法(4268)

军事(2)

经济(73)

文化、科学、教育、体育(17)

数理科学和化学(83)

天文学、地球科学(10)

生物科学(2)

医药、卫生(42)

农业科学(8)

工业技术(3940)

交通运输(137)

航空、航天(60)

环境科学、安全科学(2)

在“知网期刊论文”中，命中：4,268条，耗时：0.029986 秒

在所有数据库中总计命中：8,680条

1.SiC MOSFET的短路特性

作者：高勇 ; 乔小可 ; 孟昭亮 ; 杨媛

关键词：SiC ; MOSFET ; 短路特性 ; FPGA ; 驱动保护 ; 盲区时间

年：2019

2.SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比

作者：周郁明 ; 刘航志 ; 杨婷婷 ; 陈兆权

关键词：SiC ; JFET ; SiC ; MOSFET ; 失效 ; 迁移率 ; 泄漏电流 ; 短路

年：2019

3.SiC MOSFET器件封装和测试平台的杂散电感提取

作者：谢宗奎 ; 赵志斌 ; 柯俊吉 ; 孙鹏 ; 崔翔

关键词：SiC ; MOSFET ; 杂散电感 ; 阻抗特性 ; RLC等效模型 ; 数据拟合

年：2019

4.高k+SiO_2栅FD-SOI MOSFET阈值电压和DIBL效应的分析及建模

作者：万璐绪 ; 杨建国 ; 柯导明 ; 吴笛 ; 杨菲 ; 陈甜

关键词：高k+SiO_2栅 ; FD-SOI ; MOSFET ; 阈值电压 ; DIBL效应 ; 二维模型

年：2019

5.强反型区下纳米MOSFET的射频噪声机理分析

作者：曾洪波 ; 彭小梅 ; 王军

关键词：纳米MOSFET ; 受抑制散粒噪声 ; 射频 ; 噪声建模 ; 强反型区 ; 漏极电流噪声

年：2019

6.SiC MOSFET SPICE模型的建立与仿真分析

作者：叶雪荣 ; 张开新 ; 翟国富 ; 丁新

关键词：SiC ; MOSFET ; SPICE ; 1模型 ; 仿真 ; LTspice

年：2019

7.基于Statz模型的射频MOSFET非线性电容建模

作者：薛佳男 ; 刘逸哲 ; 高建军

关键词：等效电路 ; 参数提取 ; 非线性电容 ; 射频MOSFET ; Statz模型

年：2019

8.基于SiC MOSFET的谐振软开关等离子体电源

作者：王振民 ; 吴健文 ; 范文艳 ; 叶春显

关键词：等离子体电源 ; 谐振变换器 ; SiC ; MOSFET ; 功率密度 ; 效率

年：2019

9.SiC MOSFET驱动技术及其在电力系统中的应用

作者：吴海富 ; 张建忠 ; 赵进 ; 张雅倩

关键词：SiC ; MOSFET ; 门极驱动 ; 过电流保护 ; 电力电子变压器 ; 高压直流输电

年：2019

10.一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动设计

作者：李辉 ; 黄樟坚 ; 廖兴林 ; 钟懿 ; 王坤

关键词：SiC ; MOSFET ; 串扰抑制 ; 门极驱动 ; 辅助支路 ; 开关损耗与延时

年：2019

1

2

3

4

5

6

7

8

9

按检索点细分(4268)

篇名(840)

作者单位(2)

关键词(587)

摘要(2219)

引文(2616)

基金(4)

常见问题　|　交通位置　|　联系我们　|　OA远程办公

© 2004-2018 中国地质图书馆版权所有京ICP备05064691号京公网安备11010802017129号

地址：北京市海淀区学院路29号邮编：100083

电话：办公室：(+86 10)66554848；文献借阅、咨询服务、科技查新：66554700