外延GaNAs薄膜价带分裂随温度变化的研究

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• 出版年：2010
• 作者：陈雪梅；唐利斌；万锐敏；王茺；杨宇
• 单位1：云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所
• 单位2：昆明物理研究所基础研发部
• 出生年：1978
• 学历：硕士生
• 职称：工程师
• 语种：中文
• 作者关键词：GaNrAs1-x薄膜价带分裂；晶格膨胀；温度
• 起始页：31
• 总页数：4
• 经费资助：云南大学理工基金资助项目（2009E27Q）；教育部重点项目（210207）；兵器预研支撑项目（62301110105）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：重庆西南信息有限公司（原科技部西南信息中心）
• 主办单位：重庆西南信息有限公司
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：24
• 期：20
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

利用分子束外延（MBE）技术在（GaAs（001）衬底上生长了GaN_0.01As_0.99薄膜，然后使用光调制反射（PR）光谱研究了薄膜的光学性质和能带结构。PR光谱实验表明GaN_0.01As_0.99/GaAs薄膜价带在Γ点发生轻、重空穴分裂，且分裂的轻、重空穴带到导带边的2个跃迁峰随着温度的升高均发生红移。采用Varshni法则、Bosc-Einstein关系和BAC模型分别对轻、重空穴的能隙分裂和红移特征进行了拟合。分析结果表明，随着温度的升高，GaNAs外延层与GaAs衬底间晶格失配的减少可能是导致应变能和价带分裂能量减少的主要因素。