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SIMS分析在LED外延材料研发中的应用
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作者:
张萌
闫莉
维潘拴李丹
会议时间:2014-12-01
关键词:
发光二极管
;
外延材料
;
生长机理
;
二次离子质谱法
作者单位:南昌大学,国家硅基LED工程技术研究中心,江西省南昌市青山湖区南京东路235号,330047
母体文献:第十四届全国金相与显微分析学术年会论文集
会议名称:第十四届全国金相与显微分析学术年会
会议地点:厦门
主办单位:中国体视学学会
语种:chi
分类号:TN3;TN4
摘要
本文结合实例讨论了SIMS分析在研究外延材料生长机理的应用.外延层是LED的核心,LED的发光波长、亮度和正向电压等光电性能均取决于外延材料的质量.通常外延层的总厚度不足10微米,其中却包含了几十层薄膜,各层的组分、掺杂、厚度以及杂质都有所不同,非常复杂.要获得外延层各组分及掺杂元素的分布信息,SIMS是目前最为有效的手段.
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