一种具有锁定检测结构的新型抗SET效应DLL设计技术

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英文篇名：A New SET-Tolerant Radiation-Hardened DLL Design with Lock Detector 作者：曹天骄 ; 吴龙胜 ; 李海松 ; 韩本光 英文作者：CAO Tian-jiao;WU Long-sheng;LI Hai-song;HAN Ben-guang;Xi'an Microelectronics Technology Institute; 关键词：延迟锁相环 ; 电荷泵 ; SET加固 ; 锁定检测结构 英文关键词：delay locked loop;;charge pump;;SET-tolerate;;lock detector 中文刊名：WXYJ 英文刊名：Microelectronics & Computer 机构：西安微电子技术研究所; 出版日期：2017-09-05 出版单位：微电子学与计算机 年：2017 期：v.34;No.400 语种：中文; 页：WXYJ201709016 页数：5 CN：09 ISSN：61-1123/TN 分类号：83-87

摘要

针对延迟锁相环的结构和对单粒子效应敏感性的分析,提出了一种具有锁定检测结构的新型抗SET加固DLL结构,该结构能在满足原有DLL性能指标的前提下实现对SET效应的加固,保证DLL正交四相时钟的正确输出.基于65nm CMOS工艺进行电路设计仿真,结果显示在500 MHz工作频率下,此DLL功能正确,抗SET性能良好,SET阈值达到100 MeV·cm2/mg,在空间辐射环境中具有很好的稳定性.
        This paper presents a new radiation-hardened by design DLL in 65 nm CMOS fabrication process.The proposed DLL uses a lock detector to avoid the lock error and phase error in SET(Single-event Transient)response.The simulation results demonstrate that the proposed DLL can generate quadrature phase clock in a 500 MHz with high reliability and the SET threshold is better than 100 MeV·cm2/mg,has great stability in space.

引文

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