Flash存储器并行耐久测试方案研究

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	作者：郭慧莹 关键词：Flash存储器 ; 并行 ; 耐久 中文刊名：ZXDB 英文刊名：Science and Technology Innovation Herald 机构：延安职业技术学院; 出版日期：2019-04-11 出版单位：科技创新导报 年：2019 期：v.16;No.479 语种：中文; 页：ZXDB201911081 页数：2 CN：11 ISSN：11-5640/N 分类号：154-155

摘要

传统的Flash存储器在擦写耐久测试中存在着效率低的问题,为解决这一问题,提出了Flash存储器并行耐久测试方案,通过试验对Flash存储器芯片的扇形擦写耐久性进行测试,统计了各个扇区的擦写次数以及耐久测试的时间,分析数据可以得出该方案能够有效提升Flash存储器芯片中扇区的测试效率,为企业节省了测试成本。
        

引文

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