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1. Resistive switching behavior of Ag/Mg_0.2Zn_0.8O/ZnMn₂O₄/p⁺-Si heterostructure devices for nonvolatile memory applications

作者： Changcheng Wei 韦长成 ; Hua Wang 王华 ; Jiwen Xu…

关键词：Key wordsheterostructure ; Ag/Mg0.2Zn0.8O/ZnMn2O4/p+ ; Si ; devices ; resistive switching properties

刊名：Journal of Wuhan University of Technology-Mater. Sci. Ed.

出版年：2017

2. Microstructure and conduction behavior of BiFeO₃ thin film deposited on Ge-doped ZnO

作者： Chinnambedu Murugesan Raghavan ; Ji Ya Choi ; Sang Su Kim

刊名：Applied Physics A

出版年：2017

3. Molybdenum-Loaded Anatase TiO₂ Nanoparticles With Enhanced Optoelectronics Properties

作者： R. Bargougui ; N. Bouazizi ; S. Ammar ; A. Azzouz

关键词：TiO2 ; molybdenum nanoparticles ; surface properties ; conductance ; relaxation phenomena

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2017

4. Fully transparent, non-volatile bipolar resistive memory based on flexible copolyimide films

作者： Hwan-Chul Yu ; Moon Young Kim ; Minki Hong ; Kiyong Nam…

关键词：copolyimide memory ; WORM ; bipolar ; transparent ; ReRAM

刊名：Electronic Materials Letters

出版年：2017

5. The structural, optical, ferroelectric properties of (1-x)BiFeO₃-xCaTiO₃ thin films by a sol–gel method

作者： Xiaohang Wu ; Daihong Kuang ; Lu Yao…

刊名：Journal of Materials Science: Materials in Electronics

出版年：2017

6. Understanding Electrical Conduction States in WO3 Thin Films Applied for Resistive Random-Access Memory

作者： Thi Kieu Hanh Ta ; Kim Ngoc Pham ; Thi Bang Tam Dao…

关键词：Resistive switching ; WO3 thin films ; trap ; controlled space ; charge limited conduction ; Fowler–Nordheim tunneling ; ballistic conduction

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2016

7. Study of Dielectric Behavior and Charge Conduction Mechanism of Poly(Vinyl Alcohol) (PVA)-Copper (Cu) and Gold (Au) Nanocomposites as a Bio-resorbable Material for Organic Electronics

作者： Suman Mahendia ; Parveen Kumar Goyal ; Anil Kumar Tomar…

关键词：PVA composites ; charge conduction ; dielectric behavior

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2016

8. Conduction Mechanism in n-CdSe/p-ZnTe Heterojunction

作者： Shashidhara Acharya ; Kasturi V. Bangera…

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2016

9. Transport mechanisms and interface properties of W/p-InP Schottky diode at room temperature

作者： D. Sri Silpa ; P. Sreehith ; V. Rajagopal Reddy ; V. Janardhanam

关键词：p ; InP ; Schottky contacts ; Electrical properties ; Current conduction mechanisms ; Interface state density

刊名：Indian Journal of Physics

出版年：2016

10. Phase transition, leakage conduction mechanism evolution and enhanced ferroelectric properties in multiferroic Mn-doped BiFeO3 thin films

作者： Yalong Liu ; Jie Wei ; Yang Liu ; Xiaofei Bai…

刊名：Journal of Materials Science: Materials in Electronics

出版年：2016

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