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1.Surface profile of minority carrier lifetime in 65 and 100 MeV fluorine ion irradiated n-Si (111)

作者：N.S. Shinde ; S.S. Dahiwale ; A.V. Deore ; V.N. Bhoraskar ; S.D. Dhole ; ^{sanjay@physics.unipune.ac.in" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Minority carrier ; Lifetime ; Photoconductive decay (PCD) ; Ion irradiation

刊名：Radiation Physics and Chemistry

出版年：2017

2.Effect of Sn doping on improvement of minority carrier lifetime of Fe contaminated p-type multi-crystalline Si ingot

作者：Jifei Sun^a ; ^b ; Qiuxiang He^a ; Boyuan Ban^a ; Xiaolong Bai^a ; Jingwei Li^a ; Jian Chen^a ; ^{jchen@rntek.cas.cn}

关键词：A1. Minority carrier lifetime ; A1. Doping ; A1. Impurities ; A2. Directional solidification ; B2 Multi-crystalline Si

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

3.Older Age Associated with Mental Health Resiliency in Sexual Minority US Veterans

作者：Joan K. Monin ; Ph.D.^a ; ^{joan.monin@yale.edu} ; Natalie Mota ; Ph.D.^b ; Becca Levy ; Ph.D.^a ; John Pachankis ; Ph.D.^a ; Robert H. Pietrzak ; Ph.D. ; M.P.H.^c ; ^d

关键词：Sexual minority status ; veterans ; mental health ; aging

刊名：The American Journal of Geriatric Psychiatry

出版年：2017

4.New process of silicon carbide purification intended for silicon passivation

作者：M. Barbouche^a ; ^f ; ^{barbouchemed@gmail.com} ; R. Benabderrahmane Zaghouani^b ; N.E. Benammar^c ; V. Aglieri^d ; M. Mosca^d ; R. Macaluso^d ; K. Khirouni^e ; H. Ezzaouia^f

关键词：Silicon carbide ; Impurities ; Gettering ; ICP-AES ; Minority carrier lifetime ; Passivation

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

5.Reverse recovery transient characteristic of PEDOT:PSS/n-Si hybrid organic-inorganic heterojunction

作者：Ari Bimo Prakoso^a ; ^b ; ^{ari001@e.ntu.edu.sg} ; Lin Ke^c ; Jianxiong Wang^a ; Zeyu Li^a ; ^b ; Changyun Jiang^c ; Rusli^a ; ^b ; ^{erusli@ntu.edu.sg}

关键词：Organic/inorganic hybrid device ; Heterojunction ; Reverse recovery transient ; p-n junction ; PEDOT ; PSS

刊名：Organic Electronics

出版年：2017

6.Influence of excitonic effects on luminescence quantum yield in silicon

作者：A.V. Sachenko^a ; V.P. Kostylyov^a ; V.M. Vlasiuk^a ; I.O. Sokolovskyi^a ; ^b ; ^{isokolovskyi@mun.ca} ; M. Evstigneev^b

关键词：Silicon ; Excitons ; Luminescence ; Quantum yield ; Recombination

刊名：Journal of Luminescence

出版年：2017

7.Organic passivation of silicon through multifunctional polymeric interfaces

作者：Mariela Lizet Castillo^a ; Asli Ugur^b ; Hossein Sojoudi^c ; Nathan Nakamura^d ; Zhe Liu^e ; Fen Lin^e ; Riley E. Brandt^a ; Tonio Buonassisi^a ; B. Reeja-Jayan^d ; Karen K. Gleason^b ; ^{kkgleasn@mit.edu}

关键词：Silicon ; Organic passivation ; Chemical vapor deposition ; Solar cells

刊名：Solar Energy Materials and Solar Cells

出版年：2017

8.Ultrathin SiO₂ layer formed by the nitric acid oxidation of Si (NAOS) method to improve the thermal-SiO₂/Si interface for crystalline Si solar cells

作者：Taketoshi Matsumoto ; Hiroki Nakajima ; Daichi Irishika ; Takaaki Nonaka ; Kentaro Imamura ; Hikaru Kobayashi ; ^{h.kobayashi@sanken.osaka-u.ac.jp}

关键词：Nitric acid ; NAOS ; Silicon ; Solar cell ; Thermal oxide ; Passivation

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

9.Light trapping of crystalline Si solar cells by use of nanocrystalline Si layer plus pyramidal texture

作者：Kentaro Imamura ; Takaaki Nonaka ; Yuya Onitsuka ; Daichi Irishika ; Hikaru Kobayashi ; ^{h.kobayashi@sanken.osaka-u.ac.jp}

关键词：Si solar cells ; Texture ; Light trapping ; Nanocrystalline Si layer ; Low reflectivity

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

10.Enhancement of the conversion efficiency of Cu₂ZnSnS₄ thin film solar cell through the optimization of some device parameters

作者：Adeyinka D. Adewoyin ; ^{kingdavidonfire@gmail.com} ; Muteeu A. Olopade ; Micheal Chendo

关键词：Thin film ; CZTS ; Optimization ; Efficiency ; Device parameters

刊名：Optik - International Journal for Light and Electron Optics

出版年：2017

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