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1.
Study of the nucleation and growth of InP nanowires on silicon with gold-indium catalyst
作者:
Amaury Mavel
a
;
b
;
amaury.mavel@insa-lyon.fr
;
Nicolas Chauvin
a
;
Philippe Regreny
b
;
Gilles
Patriarche
c
;
Bruno Masenelli
a
;
Michel Gendry
b
关键词:
A1. Nucleation
;
A1. Optical properties
;
A1. Wurtzite material
;
B1. InP nanowires
刊名:Journal of Crystal Growth
出版年:2017
2.
Improving InGaN heterojunction solar cells efficiency using a semibulk absorber
作者:
M. Arif
a
;
b
;
;
W. Elhuni
c
;
J. Streque
a
;
S. Sundaram
a
;
S. Belahsene
d
;
Y. El Gmili
a
;
M. Jordan
a
;
e
;
X. Li
a
;
e
;
G.
Patriarche
d
;
A. Slaoui
f
;
A. Migan
c
;
R. Abderrahim
d
;
Z. Djebbour
c
;
g
;
P.L. Voss
a
;
e
;
J.P. Salvestrini
a
;
b
;
jean-paul.salvestrini@univ-lorraine.fr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author
;
A. Ougazzaden
a
;
e
关键词:
InGaN
;
Solar cells
;
Semibulk
刊名:Solar Energy Materials and Solar Cells
出版年:2017
3.
Nanoparticle Electrical Analysis and Detection with a Solid-state Nanopore in a Microfluidic Device
作者:
Jean Roman
a
;
b
;
Olivier Franç
;
ais
b
;
Nathalie Jarroux
a
;
Gilles
Patriarche
c
;
Juan Pelta
a
;
Bruno Le Pioufle
b
;
Laurent Bacri
a
;
laurent.bacri@univ-evry.fr
关键词:
nanopores
;
single particle
;
DNA
;
translocation
;
protein
;
virus
;
electrical detection
刊名:Procedia Engineering
出版年:2016
4.
Chemical lift-off and direct wafer bonding of GaN/InGaN P-I-N structures grown on ZnO
作者:
K. Pantzas
a
;
b
;
Konstantinos.pantzas@gatech.edu" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author
;
D.J. Rogers
c
;
P. Bove
c
;
V.E. Sandana
c
;
F.H. Teherani
c
;
Y. El Gmili
d
;
M. Molinari
e
;
G.
Patriarche
b
;
L. Largeau
d
;
O. Mauguin
d
;
S. Suresh
d
;
P.L. Voss
a
;
d
;
M. Razeghi
f
;
A. Ougazzaden
a
;
b
;
Abdallah.ougazzaden@ece.gatech.edu" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author
关键词:
A1. Characterization
;
A3. Metalorganic vapor phase epitaxy
;
B1. Nitrides
;
B1. Zinc compounds
;
B3. Solar cells
刊名:Journal of Crystal Growth
出版年:2016
5.
An ultra-thin SiO
2
ALD layer for void-free bonding of III-V material on silicon
作者:
A. Talneau
a
;
anne.talneau@lpn.cnrs.fr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author
;
K. Pantzas
a
;
A. Durnez
a
;
G.
Patriarche
a
;
D. Alamarguy
b
;
E. Le Bourhis
c
关键词:
Hybrid bonding on silicon
;
Hybrid interface
;
SiO2 ALD layer
;
Surface activation
;
Dangling bonds
刊名:Microelectronic Engineering
出版年:2016
6.
Structural and optical investigations of AlGaN MQWs grown on a relaxed AlGaN buffer on AlN templates for emission at 280 nm
作者:
X. Li
a
;
b
;
G. Le Gac
c
;
S. Bouchoule
d
;
Y. El Gmili
b
;
G.
Patriarche
d
;
S. Sundaram
b
;
P. Disseix
c
;
F. Ré
;
veret
c
;
J. Leymarie
c
;
J. Streque
b
;
F. Genty
e
;
J-P. Salvestrini
b
;
f
;
R.D. Dupuis
g
;
X.-H. Li
g
;
P.L. Voss
a
;
b
;
A. Ougazzaden
a
;
b
;
aougazza@georgiatech-metz.fr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author
关键词:
A1. Defects
;
A3. Metalorganic vapor phase epitaxy
;
A3. Quantum wells
;
B1. III-nitrides
;
B3. DUV devices
刊名:Journal of Crystal Growth
出版年:2015
7.
Multifunctional hybrid silica nanoparticles based on [Mo
6
Br
14
]
2鈭?/sup> phosphorescent nanosized clusters, magnetic 纬-Fe
2
O
3
and plasmonic gold nanoparticles
作者:
Nicolas Nerambourg
a
;
1
;
nicolas.nerambourg@univ-lorraine.fr" class="auth_mail
;
Tangi Aubert
a
;
2
;
Chrystelle Neaime
a
;
d
;
Sté
;
phane Cordier
a
;
stephane.cordier@univ-rennes1.fr" class="auth_mail
;
Michel Mortier
b
;
Gilles
Patriarche
c
;
Fabien Grasset
a
;
fabien.grasset@univ-rennes1.fr" class="auth_mail
关键词:
Silica nanoparticles
;
Metal atom clusters
;
Luminescent nanoparticles
;
Magnetic nanoparticles
刊名:Journal of Colloid and Interface Science
出版年:15 June 2014
8.
Structural and compositional characterization of MOVPE GaN thin films transferred from sapphire to glass substrates using chemical lift-off and room temperature direct wafer bonding and GaN wafer scale MOVPE growth on ZnO-buffered sapphire
作者:
S. Gautier
a
;
b
;
c
;
simon.gautier@metz.supelec.fr
;
T. Moudakir
c
;
G.
Patriarche
d
;
D.J. Rogers
e
;
V.E. Sandana
e
;
F. Hosseini Té
;
herani
e
;
P. Bove
e
;
Y. El Gmili
c
;
K. Pantzas
c
;
h
;
Suresh Sundaram
c
;
D. Troadec
f
;
P.L. Voss
c
;
h
;
M. Razeghi
g
;
A. Ougazzaden
c
;
h
关键词:
A3. Chemical lift-off
;
A3. Direct wafer bonding
;
A3. MOVPE
;
B1. GaN
刊名:Journal of Crystal Growth
出版年:2013
9.
Semibulk InGaN: A novel approach for thick, single phase, epitaxial InGaN layers grown by MOVPE
作者:
K. Pantzas
a
;
b
;
konstantinos.pantzas@gatech.edu
;
Y. El Gmili
b
;
J. Dickerson
a
;
b
;
S. Gautier
c
;
b
;
L. Largeau
d
;
O. Mauguin
d
;
G.
Patriarche
d
;
S. Suresh
b
;
T. Moudakir
b
;
C. Bishop
a
;
b
;
A. Ahaitouf
b
;
T. Rivera
e
;
C. Tanguy
e
;
1
;
P.L. Voss
a
;
b
;
A. Ougazzaden
a
;
b
;
abdallah.ougazzaden@ece.gatech.edu
关键词:
A3. Metalorganic vapor phase epitaxy
;
B1. Nitrides
;
B2. Semiconducting ternary compounds
;
B3. Solar cells
刊名:Journal of Crystal Growth
出版年:2013
10.
Suppression of crack generation in AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors grown by MOVPE
作者:
T. Moudakir
a
;
tarik.moudakir@georgiatech-metz.fr
;
S. Gautier
a
;
b
;
S. Suresh
a
;
M. Abid
c
;
Y. El Gmili
a
;
G.
Patriarche
d
;
K. Pantzas
c
;
D. Troadec
e
;
J. Jacquet
b
;
f
;
F. Genty
b
;
f
;
P. Voss
c
;
A. Ougazzaden
c
关键词:
A3. Metalorganic vapor phase epitaxy
;
B1. Nitrides
;
B2. Semiconducting gallium compounds
刊名:Journal of Crystal Growth
出版年:2013
1
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3
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2001年(5)
2000年(2)
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