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Elsevier电子期刊(22)

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1.Translation of Expanded CGG Repeats into FMRpolyG Is Pathogenic and May Contribute to Fragile X Tremor Ataxia Syndrome

作者：Chantal Sellier¹ ; ^{sellier@igbmc.fr} ; Ronald A.M. Buijsen² ; Fang He³ ; ⁴ ; ⁵ ; Sam Natla³ ; Laura Jung¹ ; Philippe Tropel¹ ; Angeline Gaucherot¹ ; Hugues Jacobs¹ ; ⁶ ; Hamid Meziane¹ ; ⁶ ; Alexandre Vincent¹ ; Marie-France Champy¹ ; ⁶ ; Tania Sorg¹ ; ⁶ ; Guillaume Pavlovic¹ ; ⁶ ; Marie Wattenhofer-Donze¹ ; ⁶ ; Marie-Christine Birling¹ ; ⁶ ; Mustapha Oulad-Abdelghani¹ ; Pascal Eberling¹ ; Frank Ruffenach¹ ; Mathilde Joint¹ ; Mathieu Anheim⁷ ; Veronica Martinez-Cerdeno⁸ ; ⁹ ; ¹⁰ ; Flora Tassone¹⁰ ; Rob Willemsen² ; Renate K. Hukema² ; Sté ; phane Viville¹ ; ¹¹ ; ¹² ; Cecile Martinat¹³ ; Peter K. Todd³ ; ⁴ ; Nicolas Charlet-Berguerand¹ ; ¹⁴ ; ¹⁵ ; ¹⁶ ; ¹⁷ ; ^{ncharlet@igbmc.fr}

关键词：neurodegeneration ; microsatellite expansion ; RAN translation ; near-cognate codon

刊名：Neuron

出版年：2017

2.(112) and (220)/(204)-oriented CuInSe₂ thin films grown by co-evaporation under vacuum

作者：Sandra Ruffenach ; Yoann Robin ; Matthieu Moret ; ^{matthieu.moret@univ-montp2.fr} ; Roger-Louis Aulombard ; Olivier Briot

关键词：Copper indium selenide ; Co-evaporation ; X-ray diffraction ; Optical properties ; Thermal annealing

刊名：Thin Solid Films

出版年：2013

3.Alternative precursors for MOVPE growth of InN and GaN at low temperature

作者：S. Ruffenach ; M. Moret ; O. Briot ; B. Gil ; Ch. Giesen ; M. Heuken ; S. Rushworth ; T. Leese ; M. Succi

关键词：A3. MOCVD ; B1. InN ; B1. Dimethylhydrazine ; B1. Tertiarybuthylhydrazine ; B1. Triethylindium

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2009

4.Optical, structural investigations and band-gap bowing parameter of GaInN alloys

作者：M. Moret ; B. Gil ; S. Ruffenach ; O. Briot ; Ch. Giesen ; M. Heuken ; S. Rushworth ; T. Leese ; M. Succi

关键词：A1. Band Gap ; A1. Bowing Parameter ; A3. MOCVD ; B1. InGaN

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2009

5.Growth of InN films and nanostructures by MOVPE

作者：O. Briot ; S. Ruffenach ; M. Moret ; B. Gil ; Ch. Giesen ; M. Heuken ; S. Rushworth ; T. Leese ; M. Succi

关键词：A3. MOCVD ; B1. InN

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2009

6.InN excitonic deformation potentials determined experimentally

作者：B. Gil ; M. Moret ; O. Briot ; S. Ruffenach ; Ch. Giesen ; M. Heuken ; S. Rushworth ; T. Leese ; M. Succi

关键词：A1. Excitonic deformation potential ; B1. InN ; A3. MOCVD

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2009

7.MOVPE growth of InN buffer layers on sapphire

作者：O. Briot ; S. Ruffenach ; M. Moret ; B. Gil ; Ch. Giesen ; M. Heuken ; S. Rushworth ; T. Leese ; M. Succi

关键词：A1. Buffer layer ; A3. MOCVD ; B1. InN

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2009

8.Optical properties of high-temperature annealed Eu-implanted GaN

作者：K. Wang ; R.W. Martin ; E. Nogales ; V. Katchkanov ; K.P. O’ ; Donnell ; S. Hernandez ; K. Lorenz ; E. Alves ; S. Ruffenach and O. Briot

刊名：Optical Materials

出版年：2006

9.UV photoreflectance for wide band gap nitride characterization

作者：Bru-Chevallier ; C. ; Fanget ; S. ; Guillot ; G. ; Ruffenach ; S. ; Briot ; O.

关键词：Photoreflectance ; Piezoelectric fields ; GaN/AlGaN

刊名：Thin Solid Films

出版年：2004

10.Absorption and Raman scattering processes in InN films and dots

作者：Briot ; O. ; Maleyre ; B. ; Ruffenach ; S. ; Gil ; B. ; Pinquier ; C. ; Demangeot ; F. ; Frandon ; J.

关键词：78.30.&minusj ; 78.40.&minusq ; 81.15.Gh ; A1. Absorption ; A1. Raman scattering ; A3. MOCVD ; B1. InN

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2004

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