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1.Characterization of recombination in P3HT:fullerene blends: Clarifying the influence of interfacial states

作者：Simon Sandé ; n ; ^{ssanden@abo.fi} ; Nora M. Wilson ; Mathias Nyman ; Ronald Ö ; sterbacka

关键词：Photoinduced absorption ; Bulk-heterojunction ; Recombination ; ICBA ; P3HT ; Interfacial dipole

刊名：Organic Electronics

出版年：2017

2.Properties of InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors modified by surface treatment

作者：D. Gregu&scaron ; ová ; ^a ; ^{Dagmar.Gregusova@savba.sk} ; ^{elekgreg@savba.sk} ; F. Gucmann^a ; R. Kú ; dela^a ; M. Miču&scaron ; í ; k^b ; R. Stoklas^a ; L. Vá ; lik^a ; J. Gregu&scaron ; ^c ; M. Blaho^a ; P. Kordo&scaron ; ^d

关键词：Surface treatment ; III&ndash ; V Semiconductors ; Gallium arsenide ; Heterostructure field effect transistors ; Transistor characteristics ; Trap state density

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

3.Density cluster based approach for controller placement problem in large-scale software defined networkings

作者：Jianxin Liao ; ^a ; ^{jxlbupt@gmail.com}Author Vitae ; Haifeng Sun^a ; ^{hfsun@bupt.edu.cn}Author Vitae ; Jingyu Wang^a ; ^{wangjingyu@bupt.edu.cn}Author Vitae ; Qi Qi^a ; ^{qiqi8266@bupt.edu.cn}Author Vitae ; Kai Li^a ; ^{likai@ebupt.com}Author Vitae ; Tonghong Li^b ; ^{tonghong@fi.upm.es}Author Vitae

关键词：SDN ; Controller placement ; Density based clustering ; Resilience ; Failure tolerance ; Latency

刊名：Computer Networks

出版年：2017

4.Electropolishing and passivation of silicon nanowires towards hybrid interfaces

作者：J. Hä ; nisch ; C. Klimm ; J. Rappich ; ^{rappich@helmholtz-berlin.de}

关键词：Si-nanowire ; metal assisted etching ; electropolishing ; photoluminescence ; surface defect density ; dark-current transient

刊名：Electrochimica Acta

出版年：2017

5.Influence of oxidation temperature on the interfacial properties of n-type 4H-SiC MOS capacitors

作者：Yifan Jia^a ; Hongliang Lv^a ; Qingwen Song^a ; ^b ; ^{qwsong@xidian.edu.cn} ; Xiaoyan Tang^a ; ^{xytang@xidian.edu.cn} ; Li Xiao^c ; Liangyong Wang^c ; Guangming Tang^c ; Yimen Zhang^a ; Yuming Zhang^a

关键词：4H-SiC MOS capacitors ; Thermal oxidation temperature ; Interfacial properties ; Effective fixed dielectric charge ; Near interface traps ; Interface states

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

6.Electrical, optical, structural and chemical properties of Al₂TiO₅ films for high-к gate dielectric applications

作者：Suresh Addepalli^a ; ^b ; ^{suresh181083@gmail.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Lakshmi Ganapathi Kolla^b ; ^{klganapathi@gmail.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Uthanna Suda^a ; ^{uthanna@rediffmail.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Al2TiO5 thin films ; Magnetron sputtering ; Structure ; Dielectric constant ; Optical properties

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2017

7.Systematic method for electrical characterization of random telegraph noise in MOSFETs

作者：Carlos Marquez^a ; ^{carlosmg@ugr.es} ; Noel Rodriguez^a ; Francisco Gamiz^a ; Akiko Ohata^b

关键词：Random telegraph noise ; MOSFET reliability ; Low frequency noise (LFN)

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

8.Long persistent luminescence property of a novel green emitting SrLaGaO₄: Tb³⁺ phosphor

作者：Xiaoyan Fu^a ; ^b ; ^{fuxiaoyan@xmut.edu.cn} ; Shenghui Zheng^a ; ^c ; Junpeng Shi^c ; Yuechan Li^a ; Hongwu Zhang^c ; ^{hwzhang@iue.ac.cn}

关键词：Optical materials ; Photoluminescence properties ; SrLaGaO4 ; Tb3+ ; Long persistent luminescence

刊名：Journal of Luminescence

出版年：2017

9.Effect of Fe doping on the crystallinity of CuO nanotubes and the efficiency of the hybrid solar cells

作者：Mahmood ul haq^a ; Muzaffar Iqbal^a ; ^c ; Muhammad Aurag Zeb Gul Sial^a ; Saima Shabbir^b ; Muhammad Siddiq^a ; Azhar Iqbal^a ; ^{aiqbal@qau.edu.pk}

关键词：CuO nanotubes ; Fe-doping ; Band gap tuning ; Crystallinity ; Solar cells

刊名：Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry

出版年：2017

10.Intense emission of Ba₂MgSi₂O₇:Eu²⁺ under X-ray excitation for potential detecting applications

作者：Jing Yan^a ; Chunmeng Liu^a ; John Vlieland^b ; Jianbang Zhou^a ; Pieter Dorenbos^b ; Yan Huang^c ; Ye Tao^c ; Hongbin Liang^a ; ^{cesbin@mail.sysu.edu.cn}

关键词：Ba2MgSi2O7 ; Photoluminescence ; Radioluminescence ; Thermoluminescence ; Light yield ; Scintillation material

刊名：Journal of Luminescence

出版年：2017

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