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1.Influence of mesa edge capacitance on frequency behavior of millimeter-wave AlGaN/GaN HEMTs

作者：Jiangfeng Du^a ; ^{jfdu@uestc.edu.cn} ; Kang Wang^a ; Yong Liu^a ; Zhiyuan Bai^a ; Yang Liu^a ; Zhihong Feng^b ; Shaobo Dun^b ; Qi Yu^a

关键词：AlGaN/GaN ; HEMT ; Small-signal ; Mesa ; Capacitance

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

2.High temperature storage test and its effect on the thermal stability and electrical characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

作者：Jong-Min Lee ; ^{leejongmin@etri.re.kr} ; Byoung-Gue Min ; Cheol-Won Ju ; Ho-Kyun Ahn ; Jong-Won Lim

关键词：AlGaN/GaN ; HEMT ; High temperature storage ; Reliability ; Gate contact

刊名：Current Applied Physics

出版年：2017

3.Optimization of ohmic contact for AlGaNGaN HEMT by introducing patterned etching in ohmic area

作者：Chong Wang ; ^{chongw@xidian.edu.cn} ; Meng-Di Zhao ; Yun-Long He ; Xue-Feng Zheng ; Xiao-Xiao Wei ; Wei Mao ; Xiao-Hua Ma ; Jin-Cheng Zhang ; Yue Hao

关键词：AlGaNGaN ; HEMT ; Ohmic contact ; Patterned etching ; Surface morphology

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

4.Performance enhancement of AlGaN/GaN nanochannel omega-FinFET

作者：Ki-Sik Im^a ; Jae Hwa Seo^b ; Sindhuri Vodapally^b ; In Man Kang^b ; Jae-Hoon Lee^c ; Sorin Cristoloveanu^d ; Jung-Hee Lee^b ; ^{jlee@ee.knu.ac.kr}

关键词：AlGaN/GaN ; Nanochannel ; Omega-gate ; FinFET ; 2DEG ; Breakdown voltage ; Subthreshold slope

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

5.Stability of AlGaN/GaN heterostructures after hydrogen plasma treatment

作者：O. Babchenko^a ; ^{oleg.babchenko@savba.sk} ; J. Dzuba^a ; T. Lalinský ; ^a ; M. Vojs^b ; A. Vincze^c ; T. Ižá ; k^d ; G. Vanko^a

关键词：AlGaN/GaN heterostructure ; Hydrogen plasma ; SIMS ; TLM ; HEMT

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

6.Gate leakage currents induced by thermal fluctuation on two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

作者：Jian Peng^a ; Xiwen Liu^a ; Dong Ji^b ; Yanwu Lu^a ; ^{ywlu@bjtu.edu.cn}

关键词：Nitride semiconductor ; Heterostructure ; Two-dimensional electron gas ; Leakage current

刊名：Thin Solid Films

出版年：2017

7.Simulation of nonlinear optical and self-focusing effects in AlGaN/GaN spherical quantum dot

作者：S.M. Hosseini ; A. Vahedi ; ^{vahedi@iaut.ac.ir}

关键词：Self-focusing effects ; Third order susceptibility ; Quantum dots ; Nonlinear refractive index

刊名：Optik - International Journal for Light and Electron Optics

出版年：2017

8.Novel GaN-based vertical heterostructure field effect transistor structures using crystallographic KOH etching and overgrowth

作者：H. Qian^a ; ^{hqian2@sheffield.ac.uk} ; K.B. Lee^a ; S. Hosseini Vajargah^b ; S.V. Novikov^c ; I. Guiney^b ; Z.H. Zaidi^a ; S. Jiang^a ; D.J. Wallis^b ; C.T. Foxon^c ; C.J. Humphreys^b ; P.A. Houston^a

关键词：A1. Wet etching ; A1. Semi-polar (11-22) GaN ; A3. Molecular beam epitaxy ; A3. Metalorganic chemical vapour deposition ; B1. AlGaN/GaN ; B3. Vertical Heterostructure Field Effect Transisto (VHFET)

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

9.Morphological and electrical comparison of Ti and Ta based ohmic contacts for AlGaN/GaN-on-SiC HFETs

作者：A. Pooth^a ; ^b ; ^{A.Pooth@bristol.ac.uk} ; J. Bergsten^c ; N. Rorsman^c ; H. Hirshy^d ; R. Perks^d ; P. Tasker^d ; T. Martin^b ; R.F. Webster^a ; D. Cherns^a ; M.J. Uren^a ; M. Kuball^a

关键词：GaN ; Transistor ; Ohmic contact ; Morphology ; Leakage current ; Current collapse

刊名：Microelectronics Reliability

出版年：2017

10.Commercial-off-the-shelf algan/gan hemt device reliability study after exposure to heavy ion radiation

作者：B.S. Poling^a ; ^{brian.poling.2@us.af.mil} ; G.D. Via^a ; K.D. Bole^c ; E.E. Johnson^c ; J.M. McDermott^b

关键词：Gallium Nitride (GaN) ; High Electron Mobility Transistors (HEMTs) ; Reliability ; Heavy Ion

刊名：Microelectronics Reliability

出版年：2017

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