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1.Influence of in-situ SiN_x mask on the quality of N-polar GaN films

作者：Long Yan ; Yuantao Zhang ; ^{zhangyt@jlu.edu.cn} ; Heng Xu ; Ling Li ; Junyan Jiang ; Zhen Huang ; Xu Han ; Junfeng Song ; Guotong Du

关键词：SiNx insertion ; GaN ; N polar ; MOCVD

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2017

2.Influence of molar ratio of Sb/Zn on the crystal, electrical and optical properties of Sb-doped ZnO films

作者：Yi Cheng ; ^{chengyi@dlmu.edu.cn} ; Kun Yang ; ^{yangk@dlmu.edu.cn} ; Jixiang Chen ; Li Che ; Xizhen Zhang

关键词：Sb-doped ZnO films ; MOCVD ; X-ray diffraction ; Photoluminescence ; Binding energy

刊名：Journal of Alloys and Compounds

出版年：2017

3.Analysis of the Si(111) surface prepared in chemical vapor ambient for subsequent III-V heteroepitaxy

作者：W. Zhao^a ; M. Steidl^a ; A. Paszuk^a ; S. Brü ; ckner^a ; ^b ; A. Dobrich^a ; O. Supplie^a ; ^b ; P. Kleinschmidt^a ; T. Hannappel^a ; ^b ; ^{thomas.hannappel@tu-ilmenau.de" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：(MO)CVD ; MOVPE ; Thermal deoxidation ; Si(111) ; Hydrogen ; III-V-on-Si heteroepitaxy

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

4.Effects of Si-doping on characteristics of semi-polar plane Al_0.45Ga_0.55N epi-layers

作者：Qian Dai ; Xiong Zhang ; ^{xzhang62@aliyun.com} ; Jianguo Zhao ; Huakai Luan ; Zongwen Liang ; Yiping Cui

关键词：Semi-polar (112¯ ; 2) plane AlGaN ; Si-doping ; Strain relaxation ; Dislocation movement

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2017

5.Planar and 3D deposition of Li₄Ti₅O₁₂ thin film electrodes by MOCVD

作者：Jie Xie^a ; Peter-Paul R.M.L. Harks^b ; Dongjiang Li^a ; ^c ; Lucas H.J. Raijmakers^b ; Peter H.L. Notten^a ; ^d ; ^{p.h.l.notten@tue.nl" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Li4Ti5O12 ; 3D ; Film Electrodes ; MOCVD

刊名：Solid State Ionics

出版年：2016

6.High hole concentration Li-doped NiZnO thin films grown by photo-assisted metal-organic chemical vapor deposition

作者：Y.D. Zhao ; X. Dong ; ^{dongx@jlu.edu.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Z.Z. Ma ; Y.T. Zhang ; B. Wu ; S.W. Zhuang ; B.L. Zhang ; ^{wtt20@sohu.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; W.C. Li ; G.T. Du

关键词：NiZnO films ; PA-MOCVD ; XRD

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

7.Composition and microstructure of beryllium carbide films prepared by thermal MOCVD

作者：Yu-dan He ; Jiang-shan Luo ; Jia Li ; Ling-biao Meng ; Bing-chi Luo ; Ji-qiang Zhang ; Yong Zeng ; Wei-dong Wu ; ^{wuweidongding@163.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Beryllium carbide ; Capsule materials ; Diethylberyllium ; Thermal MOCVD ; Inertial confinement fusion

刊名：Fusion Engineering and Design

出版年：2016

8.Effect of annealing on the properties of Ga₂O₃:Mg films prepared on α-Al₂O₃ (0001) by MOCVD

作者：Xianjin Feng ; Zhao Li ; Wei Mi ; Jin Ma ; ^{jinmasduphy@163.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Mg-doped Ga2O3 films ; MOCVD ; Annealing ; Crystal structure ; Electrical properties ; Optical properties

刊名：Vacuum

出版年：2016

9.Effect of microstructure change on the deuterium permeation properties of erbium oxide coatings prepared via MOCVD

作者：Yunyi Wu ; ^{wuyunyi_80@163.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Di He ; Shuai Li ; Yang Yang ; Xiaopeng Liu ; Shumao Wang ; Lijun Jiang

关键词：MOCVD ; Microstructure ; Deuterium permeation ; Coating

刊名：International Journal of Hydrogen Energy

出版年：2016

10.Deuterium permeation properties of Y₂O₃/Cr₂O₃ composite coating prepared by MOCVD on 316L stainless steel

作者：Yunyi Wu ; ^{wuyunyi@grinm.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Di He ; Shuai Li ; Xiaopeng Liu ; Shumao Wang ; Lijun Jiang

关键词：Deuterium permeation ; Composite coating ; Y2O3 ; Cr2O3 ; MOCVD

刊名：International Journal of Hydrogen Energy

出版年：2016

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