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1.Surfactant-mediated epitaxy of thin germanium films on SiGe(001) virtual substrates

作者：J. Schmidt^a ; ^{schmidt@mbe.uni-hannover.de} ; D. Tetzlaff^a ; E. Bugiel^a ; T.F. Wietler^a ; ^b

关键词：A1. Surface morphology ; A3. Molecular beam epitaxy ; A3. Surfactant mediated epitaxy ; B1. Germanium silicon alloys ; B2. Strained Ge ; B2. Virtual substrates

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

2.Self-assembled strained GeSiSn nanoscale structures grown by MBE on Si(100)

作者：A.I. Nikiforov^a ; ^b ; ^{nikif@isp.nsc.ru} ; V.A. Timofeev^a ; A.R. Tuktamyshev^a ; A.I. Yakimov^a ; ^b ; V.I. Mashanov^a ; A.K. Gutakovskii^a

关键词：A1. Nanostructures ; A1. Surfaces ; A3. Molecular beam epitaxy ; B1. Germanium silicon alloys ; B3. Infrared devices

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

3.Tuning the tunneling probability by mechanical stress in Schottky barrier based reconfigurable nanowire transistors

作者：Tim Baldauf^a ; ^{Tim.Baldauf@namlab.com} ; André ; Heinzig^a ; Jens Trommer^b ; Thomas Mikolajick^a ; ^b ; Walter Michael Weber^a ; ^b

关键词：Silicon nanowire ; Reconfigurable logic ; CMOS ; RFET ; SBFET ; Tunneling ; Schottky junction ; Stress ; Strain ; Symmetry ; Deformation potential ; Self-limited oxidation ; Simulation ; TCAD

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

4.The electronic structure peculiarities of a strained silicon layer in silicon-on-insulator: Experimental and theoretical data

作者：V.A. Terekhov^a ; ^{terekhov@phys.vsu.ru" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; D.N. Nesterov^a ; E.P. Domashevskaya^a ; E.V. Geraskina^a ; M.D. Manyakin^a ; S.I. Kurganskii^a ; G.N. Kamayev^b ; A.H. Antonenko^b ; S.Yu. Turishchev^a

关键词：Electronic structure ; Silicon-on-insulator ; Strained silicon ; Ultrasoft X-ray spectroscopy ; Synchrotron radiation ; Linearized augmented plane wave method

刊名：Applied Surface Science

出版年：2016

5.Characterization and modelling of layout effects in SiGe channel pMOSFETs from 14 nm UTBB FDSOI technology

作者：R. Berthelon^a ; ^b ; ^c ; ^{remy.berthelon@st.com} ; F. Andrieu^b ; ^{francois.andrieu@cea.fr} ; S. Ortolland^a ; R. Nicolas^a ; T. Poiroux^b ; E. Baylac^a ; D. Dutartre^a ; E. Josse^a ; A. Claverie^c ; M. Haond^a

关键词：CMOS ; Ultra-Thin-Body and Buried-Oxide Fully-Depleted-On-Insulator (UTBB FDSOI) ; SiGe ; Stress ; Strain ; Layout effects ; Length of diffusion (LOD) ; SA/SB parameters ; Threshold voltage ; Mobility

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

6.Structure and chemistry of aluminum predose layers in AlN epitaxy on (111) silicon

作者：A.P. Lange^a ; ^{aplange@ucdavis.edu" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; X.L. Tan^b ; ^c ; C.S. Fadley^b ; ^c ; S. Mahajan^a

关键词：AlN on (111) silicon ; GaN on (111) silicon ; Aluminum predose ; AlN XPS ; Meltback etching

刊名：Acta Materialia

出版年：2016

7.Performance comparison of conventional and strained FinFET inverters

作者：Shashank Dubey ; ^{shashank.dubey@iiitdmj.ac.in" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Pravin N. Kondekar ^{pnkondekar@iiitdmj.ac.in" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Stress ; Silicon-on-insulator ; Switching speed ; Doping ; Fin shape ; Inverter ; SiGe ; SiC

刊名：Microelectronics Journal

出版年：2016

8.Fin shape dependent variability for strained SOI FinFETs

作者：Shashank Dubey ^{shashank.dubey@iiitdmj.ac.in" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Pravin N. Kondekar ^{pnkondekar@iiitdmj.ac.in" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Strained silicon-on-insulator ; n-FinFET ; fin shape ; electrical characteristics ; leakage current ; Work Function Variation

刊名：Microelectronic Engineering

出版年：2016

9.Damage accumulation during cryogenic and room temperature implantations in strained SiGe alloys

关键词：Damage accumulation ; Implantation ; Amorphization ; Alloys ; Silicon germanium ; SiGe ; Calibration ; HR-XRD

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2016

10.Development of a simulator for analyzing some performance parameters of nanoscale strained silicon MOSFET-based CMOS inverters

作者：Subindu Kumar ; ^{subindukumar@hotmail.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Amrita Kumari ; Mukul Kumar Das

关键词：CMOS ; MOSFET ; Noise margin ; Strain ; S/D series resistance ; Voltage transfer characteristics (VTC)

刊名：Microelectronics Journal

出版年：2016

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