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Elsevier电子期刊(8)

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1.Role of p-NiO electron blocking layers in fabrication of (P-N):ZnO/Al:ZnO UV photodiodes

作者：R. Amiruddin ^{amirphy9@yahoo.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; M.C. Santhosh Kumar ; ^{santhoshmc@nitt.edu" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：ZnO UV photodiodes ; NiO-electron blocking layer ; High photoresponsivity and external quantum efficiency

刊名：Current Applied Physics

出版年：2016

2.A wide-band UV photodiode based on n-ZnO/p-Si heterojunctions

作者：N.H. Al-Hardan ; Azman Jalar ; M.A. Abdul Hamid ; Lim Kar Keng ; N.M. Ahmed ; R. Shamsudin

关键词：ZnO nanostructures ; Heterojunction ; UV photodiode ; Hydrothermal

刊名：Sensors and Actuators A: Physical

出版年：1 March, 2014

3.Characteristics of ZnO MSM UV photodetector with Ni contact electrodes on poly propylene carbonate (PPC) plastic substrate

作者：N.N. J ; ow ; F.K. Yam ; S.M. Thahab ; H. Abu Hassan ; K. Ibrahim

关键词：ZnO ; DC sputtering ; Barrier height ; Metal– ; semiconductor– ; metal (MSM) photodiodes

刊名：Current Applied Physics

出版年：2010

4.Fabrication and characterization of ZnO nanowires based UV photodiodes

作者：Lei Luo ; Yanfeng Zhang ; Samuel S. Mao and Liwei Lin

关键词：ZnO nanowires ; UV light ; Photodiodes

刊名：Sensors and Actuators A: Physical

出版年：2006

5.ZnO-based MIS photodetectors

作者：S.J. Young ; L.W. Ji ; S.J. Chang ; S.H. Liang ; K.T. Lam ; T.H. Fang ; K.J. Chen ; X.L. Du ; Q.K. Xue

关键词：ZnO ; Semiconducting II– ; VI materials ; Photodiodes

刊名：Sensors and Actuators A: Physical

出版年：2008

6.ZnO-based MIS photodetectors

作者：S.J. Young ; L.W. Ji ; S.J. Chang ; S.H. Liang ; K.T. Lam ; T.H. Fang ; K.J. Chen ; X.L. Du ; Q.K. Xue

关键词：ZnO ; Semiconducting II– ; VI materials ; Photodiodes

刊名：Sensors and Actuators A: Physical

出版年：2007

7.n-ZnO/p-Si UV photodetectors employing AlO_x films for antireflection

作者：Jeong ; I.-S. ; Kim ; J.H. ; Park ; Hyung-Ho ; Im ; Seongil

关键词：Aluminum oxide ; Zinc oxide ; Photodiode ; Reflectance

刊名：Thin Solid Films

出版年：2004

8.n-ZnO/p-Si photodiodes fully isolated by B⁺ ion-implantation

作者：Park ; C.H. ; Jeong ; I.S. ; Bae ; H.S. ; Kim ; T.G. ; Im ; S.

关键词：81.05.Dz ; 85.60.Dw ; 61.80.Jh ; 85.40.Ls ; 73.50.Pz ; ZnO ; Photodiode ; Implantation ; Isolation ; Photoelectric property

刊名：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

出版年：2004

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