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1.Band structure and optical constants of GaAs_1-xN_x

作者：N. Bouarissa^a ; ^{n_bouarissa@yahoo.fr} ; S.A. Siddiqui^b ; M. Boucenna^c ; M.A. Khan^d

关键词：Electronic structure ; Optical properties ; GaAsN alloys ; Pseudopotentials

刊名：Optik - International Journal for Light and Electron Optics

出版年：2017

2.Inhomogeneous nitrogen incorporation effects on the transport properties of GaAsN grown by CBE

作者：Li Wang ; ^{wli@toyota-ti.ac.jp" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Omar Elleuch ; Yasuhiro Shirahata ; Nobuaki Kojima ; Yoshio Ohshita ; Masafumi Yamaguchi

关键词：A1. Characterization ; A3. Chemical beam epitaxy ; B1. Nitrides ; B1. Alloys ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

3.Molecular-beam epitaxy growth of dilute GaAsN alloys by surface nitridation

作者：Noriyuki Urakami^a ; ^{urakami-n@int.ee.tut.ac.jp" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Keisuke Yamane^a ; Hiroto Sekiguchi^a ; Hiroshi Okada^a ; ^b ; Akihiro Wakahara^a ; ^b ; ^{wakahara@ee.tut.ac.jp" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：A1. Nitridation ; A3. Molecular beam epitaxy ; B1. Dilute nitride ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

4.Ab initio study of GaAs(100) surface stability over As₂, H₂ and N₂ as a model for vapor-phase epitaxy of

作者：Hubert Valencia ; ^{hubert.valencia@riam.kyushu-u.ac.jp" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Yoshihiro Kangawa ; Koichi Kakimoto

关键词：A1. Ab initio calculations ; A3. Vapor-phase epitaxy ; B1. GaAsN ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials ; B3. Solar cells

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2015

5.Investigation of the effects of gamma radiation on the electrical properties of dilute GaAs_1鈭抶N_x layers grown by Molecular Beam Epitaxy

作者：N. Al Saqri^a ; ^b ; J.F. Felix^c ; ^d ; M. Aziz^a ; D. Jameel^a ; C.I.L. de Araujo^c ; H. Albalawi^a ; F. Al Mashary^a ; H. Alghamdi^a ; D. Taylor^a ; M. Henini^a ; ^{mohamed.henini@nottingham.ac.uk" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Dilute III-V nitride ; Gamma (纬-) irradiation ; IV ; DLTS ; Laplace DLTS

刊名：Current Applied Physics

出版年：2015

6.Effects of nitrogen precursor on the Au-assisted vapor-liquid-solid growth of GaAs(N) nanostructures

作者：Hidetoshi Suzuki ; Kentaro Sakai ; Tomohiro Haraguchi ; Toshihiro Yamauchi ; Masanobu Hijii ; Kouji Maeda ; Tetsuo Ikari

关键词：A1. Nanostructures ; A3. Metalorganic chemical vapor deposition ; A3. Vapor&ndash ; Liquid&ndash ; Solid growth ; B1. Dilute nitride

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：15 January, 2014

7.Nitrogen-induced localized level observed by photoreflectance in GaAsN thin films grown by chemical beam epitaxy

作者：Hidetoshi Suzuki ; Akio Suzuki ; Atsuhiko Fukuyama ; Tetsuo Ikari

关键词：A1. Photoreflectance ; A3. Chemical beam epitaxy ; B1. Dilute nitride

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：1 December, 2013

8.Thermodynamic analysis of vapor-phase epitaxial growth of GaAsN on Ge

作者：Jun Kawano^a ; ^{j-kawano@mail.sci.hokudai.ac.jp} ; Yoshihiro Kangawa^a ; Tomonori Ito^b ; Koichi Kakimoto^a ; Akinori Koukitu^c

关键词：A1. Thermodynamic analysis ; A3. Vapor phase epitaxy ; B1. GaAsN ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials ; B3. Solar cells

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2012

9.Effect of rapid thermal annealing on behavior of nitrogen in GaAsN alloys

作者：X.Z. Chen^a ; D.H. Zhang^a ; ^{edhzhang@ntu.edu.sg} ; Y.J. Jin^a ; J.H. Li^b ; J.H. Teng^c ; N. Yakovlev^c

关键词：A1. Defects ; Diffusion ; B1. Nitrides ; B2. Semiconducting gallium arsenide

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2013

10.Structural and electronic properties of Ga_{1?span style='font-style: italic'>x}In_x As_{1?span style='font-style: italic'>y}N_y quaternary semiconductor alloy on GaAs substrate

作者：Metin Aslan ; ^{maslan@sakarya.edu.tr} ; Battal G. Yalç ; ın ; Mehmet Ü ; stü ; ndağ

关键词：III-N-V heterostructure ; Alloy ; GaInAsN

刊名：Journal of Alloys and Compounds

出版年：2012

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