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1.A high accuracy CMOS subthreshold voltage reference with offset cancellation and thermal compensation

作者：Lianxi Liu^a ; ^b ; ^{lxliu@mail.xidian.edu.cn} ; Yu Song^a ; ^{1327940360@qq.com} ; Junchao Mu^a ; ^{jcmu@stu.xidian.edu.cn} ; Wei Guo^a ; ^{guowei_6@163.com} ; Zhangming Zhu^a ; ^b ; ^{zhuzhangming@xidian.edu.cn} ; Yintang Yang^a ; ^b ; ^{ytyang@xidian.edu.cn}

关键词：Subthreshold ; Voltage reference ; Offset cancelling ; Temperature compensation ; CMOS

刊名：Microelectronics Journal

出版年：2017

2.High performance single supply CMOS 0.45-1 V input to 1.1 V output level up shifter

作者：José ; -Carlos Garcí ; a^a ; ^{jcgarcia@iuma.ulpgc.es} ; Juan A. Montiel-Nelson^a ; ^{montiel@iuma.ulpgc.es} ; S. Nooshabadi^b ; ^{saeid@mtu.edu}

关键词：Power supply domains ; Level shifter ; Single supply voltage ; High-speed ; Low energy consumption ; Drive capability

刊名：Microelectronics Journal

出版年：2017

3.A 19.38 dBm OIP3 gm-boosted up-conversion CMOS mixer for 5-6 GHz application

作者：Wen-Hui Huang ; I-Yu Huang ; Yu-Shan Tseng ; Chia-Hsu Hsieh ; Chua-Chin Wang ; ^{ccwang@ee.nsysu.edu.tw}

关键词：Highly linear ; Up-conversion ; WLAN ; Current-reused and gm-boosting

刊名：Microelectronics Journal

出版年：2017

4.Uniformly strained AlGaSb/InGaSb/AlGaSb quantum well on GaAs substrates for balanced complementary metal-oxide-semiconductors

作者：Il Pyo Roh^a ; ^b ; ¹ ; Sang Hyeon Kim^b ; ¹ ; Yun Heub Song^a ; ^{yhsong2008@hanyang.ac.kr} ; Jin Dong Song^b ; ^{jdsong@kist.re.kr}

关键词：InGaSb ; Balanced CMOS ; High mobility ; Strain

刊名：Current Applied Physics

出版年：2017

5.N-type doping strategies for InGaAs

作者：Henry Aldridge Jr^a ; ; Aaron G. Lind^a ; Cory C. Bomberger^b ; Yevgeniy Puzyrev^c ; Joshua M.O. Zide^b ; Sokrates T. Pantelides^c ; Mark E. Law^a ; Kevin S. Jones^a

关键词：III&ndash ; V semiconductors ; Semiconductor processing ; Thermal processing ; Dopant activation ; Dopant diffusion

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2017

6.Drain current local variability from linear to saturation region in 28 nm bulk NMOSFETs

作者：T.A. Karatsori^a ; ^b ; ^{karatsot@minatec.inpg.fr} ; C.G. Theodorou^a ; S. Haendler^c ; C.A. Dimitriadis^b ; G. Ghibaudo^a

关键词：Mismatch ; Local variability ; Threshold voltage ; Gain factor ; Source-drain series resistance ; Modeling ; 28 ; nm bulk ; CMOS

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

7.Ultra-low power OTA based on bias recycling and subthreshold operation with phase margin enhancement

作者：A.N. Ragheb ; ^{ahmed@cbnu.ac.kr} ; HyungWon Kim ; ^{hwkim@cbnu.ac.kr}

关键词：Ultra-low power ; OTA ; Recycling folded cascode (RFC) ; Phase margin ; Subthreshold region

刊名：Microelectronics Journal

出版年：2017

8.Linearity enhancement design of a 16-channel low-noise front-end readout ASIC for CdZnTe detectors

作者：Huiming Zeng ; Tingcun Wei ; ^{weitc@nwpu.edu.cn} ; Jia Wang

关键词：CdZnTe detector ; Front-end readout ; ASIC ; The linearity of conversion gain ; High-Z circuit

刊名：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment

出版年：2017

9.On the flame stability and laminar burning speeds of syngas/O₂/He premixed flame

作者：Omid Askari^a ; Ziyu Wang^b ; Kevin Vien^b ; Matteo Sirio^c ; Hameed Metghalchi^b ; ^{metghalchi@coe.neu.edu}

关键词：Syngas ; Helium ; Multi-shell ; Laminar burning speed ; Flame stability ; Schlieren photography ; High pressures and temperatures

刊名：Fuel

出版年：2017

10.A low energy ASIC for triple-chamber cardiac pacemakers with contact resistance measurement

作者：Jie Zhang^a ; Hong Zhang^a ; ^{hongzhang@mail.xjtu.edu.cn} ; Jiangtao Xu^a ; Yang Zhao^b ; Jia Li^a ; Guoyu Hu^a ; Jialu Wang^a ; Ruizhi Zhang^a ; Yong Lian^b

关键词：Cardiac pacemaker ; Programmable stimulator ; Resistance measurement ; Low power ; Triple chamber ; High voltage

刊名：Microelectronics Journal

出版年：2017

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