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1.Surface profile of minority carrier lifetime in 65 and 100 MeV fluorine ion irradiated n-Si (111)

作者：N.S. Shinde ; S.S. Dahiwale ; A.V. Deore ; V.N. Bhoraskar ; S.D. Dhole ; ^{sanjay@physics.unipune.ac.in" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Minority carrier ; Lifetime ; Photoconductive decay (PCD) ; Ion irradiation

刊名：Radiation Physics and Chemistry

出版年：2017

2.Bi³⁺-doped CH₃NH₃PbI₃: Red-shifting absorption edge and longer charge carrier lifetime

作者：Ruiqi Wang^a ; Xian Zhang^a ; Jianqiao He^b ; Cheng Ma^a ; Li Xu^c ; Peng Sheng^c ; Fuqiang Huang^a ; ^b ; ^{huangfq@pku.edu.cn}

关键词：Hybrid perovskite ; Doping ; Band gap energy ; Charge carrier lifetime

刊名：Journal of Alloys and Compounds

出版年：2017

3.Carrier mobility and scattering lifetime in electric double-layer gated few-layer graphene

作者：E. Piatti^a ; S. Galasso^a ; M. Tortello^a ; J.R. Nair^a ; C. Gerbaldi^a ; M. Bruna^b ; ¹ ; S. Borini^b ; ¹ ; D. Daghero^a ; R.S. Gonnelli^a ; ^{renato.gonnelli@polito.it}

关键词：Few-layer graphene ; EDL gating ; Liquid gating ; Transport properties ; Scattering lifetime ; Surface modification

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

4.Effect of Sn doping on improvement of minority carrier lifetime of Fe contaminated p-type multi-crystalline Si ingot

作者：Jifei Sun^a ; ^b ; Qiuxiang He^a ; Boyuan Ban^a ; Xiaolong Bai^a ; Jingwei Li^a ; Jian Chen^a ; ^{jchen@rntek.cas.cn}

关键词：A1. Minority carrier lifetime ; A1. Doping ; A1. Impurities ; A2. Directional solidification ; B2 Multi-crystalline Si

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

5.Influence of base carrier lifetime on the characteristics of 4H-SiC BJTs

作者：Yuan Lei^a ; Song Qingwen^a ; ^b ; ^{qwsong@xidian.edu.cn} ; Tang Xiaoyan^a ; Zhang Yimeng^a ; Yang Shuai^a ; Zhang Yimen^a ; Guo Lixin^c ; Xiao Li^d ; Wang Liangyong^d ; Zhang Yuming^a

关键词：Bipolar junction transistor ; Lifetime ; Switching characteristic ; Charge storage

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

6.Optimization of spray dried attrition-resistant iron based oxygen carriers for chemical looping reforming

作者：Yoran De Vos^a ; ^b ; ^c ; ^d ; ^{yoran.devos@vito.be} ; Marijke Jacobs^a ; ^{marijke.jacobs@vito.be} ; Pascal Van Der Voort^b ; ^{pascal.vandervoort@ugent.be} ; Isabel Van Driessche^c ; ^{isabel.vandriessche@ugent.be} ; Frans Snijkers^a ; ^{frans.snijkers@vito.be} ; An Verberckmoes^d ; ^{an.verberckmoes@ugent.be}

关键词：Oxygen carrier ; Chemical looping ; Spray drying ; Iron oxide ; Attrition-resistance ; Syngas

刊名：Chemical Engineering Journal

出版年：2017

7.Ultrafast dynamics of carriers and nonlinear refractive index in bulk polycrystalline diamond

作者：Ben Zhang^a ; Shenye Liu^a ; ^{Lsye1029@163.com} ; Xingzhi Wu^b ; Tao Yi^a ; Yu Fang^b ; Jian Zhang^a ; Quanjie Zhong^a ; Xiaoshi Peng^a ; Xiangming Liu^a ; Yinglin Song^b

关键词：Optical nonlinear dynamics ; Diamond ; Free carriers ; Pump-probe technique ; Phase object

刊名：Optik - International Journal for Light and Electron Optics

出版年：2017

8.New process of silicon carbide purification intended for silicon passivation

作者：M. Barbouche^a ; ^f ; ^{barbouchemed@gmail.com} ; R. Benabderrahmane Zaghouani^b ; N.E. Benammar^c ; V. Aglieri^d ; M. Mosca^d ; R. Macaluso^d ; K. Khirouni^e ; H. Ezzaouia^f

关键词：Silicon carbide ; Impurities ; Gettering ; ICP-AES ; Minority carrier lifetime ; Passivation

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

9.Improved photoelectrocatalytic activities of BiOCl with high stability for water oxidation and MO degradation by coupling RGO and modifying phosphate groups to prolong carrier lifetime

作者：Zhijun Li ; Yang Qu ; Kang Hu ; Muhammad Humayun ; Shuangying Chen ; Liqiang Jing ; ^{jinglq@hlju.edu.cn}

关键词：Modified BiOCl ; Charge transfer and separation ; Photoelectrocatalysis ; Water oxidation ; MO degradation

刊名：Applied Catalysis B: Environmental

出版年：2017

10.Radicals and ions controlling by adjusting the antenna-substrate distance in a-Si:H deposition using a planar ICP for c-Si surface passivation

作者：H.P. Zhou^a ; ^b ; ^{haipzhou@uestc.edu.cn} ; S. Xu^b ; ^{shuyan.xu@nie.edu.sg} ; M. Xu^c ; L.X. Xu^b ; D.Y. Wei^b ; Y. Xiang^a ; S.Q. Xiao^d

关键词：Passivation ; Ion bombardment ; Surface ; Carrier lifetime ; ICP

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

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