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1.Characterization of thin film tandem solar cells by radiofrequency pulsed glow discharge - Time of flight mass spectrometry

作者：Beatriz Fernandez^a ; ^{fernandezbeatriz@uniovi.es} ; Lara Lobo^a ; Nies Reininghaus^b ; Rosario Pereiro^a ; ^{mrpereiro@uniovi.es} ; Alfredo Sanz-Medel^a

关键词：Thin film solar cells ; Tandem-junctions solar cells ; Depth profiling analysis ; Glow discharge ; Time of flight mass spectrometry

刊名：Talanta

出版年：2017

2.Deep Diffusion of Phosphorus in Silicon using Microsecond-pulsed Laser Doping

作者：Som Mondal ; ^{s_mondal@iitb.ac.in} ; Chetan Singh Solanki ^{chetanss@iitb.ac.in}

关键词：Deep diffusion ; EBIC ; Junction depth ; Laser doping

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2017

3.Two-dimensional dopant profiling of gallium nitride p-n junctions by scanning capacitance microscopy

作者：M. Lamhamdi^a ; ^b ; ; F. Cayrel^a ; E. Frayssinet^d ; A.E. Bazin^c ; A. Yvon^c ; E. Collard^c ; Y. Cordier^d ; D. Alquier^a

关键词：Gallium nitride ; Ion implantation ; Scanning capacitance microscopy ; Atomic Force Microscopy ; Dopant profiling

刊名：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

出版年：2016

4.Dopant profiling based on scanning electron and helium ion microscopy

作者：Augustus K.W. Chee^a ; ^{kwac2@cam.ac.uk" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Stuart A. Boden^b

关键词：Doping contrast ; Secondary electron energy filtering ; Sensitivity limit ; Electric potentials ; Escape depth ; P&ndash ; n junction ; Surface band-bending

刊名：Ultramicroscopy

出版年：2016

5.All vapor-deposited lead-free doped CsSnBr₃ planar solar cells

作者：Dhanashree Moghe^aAuthor Vitae ; Lili Wang^aAuthor Vitae ; Christopher J. Traverse^aAuthor Vitae ; Adam Redoute^aAuthor Vitae ; Melany Sponseller^bAuthor Vitae ; Patrick R. Brown^cAuthor Vitae ; Vladimir Bulović^bAuthor Vitae ; Richard R. Lunt^a ; ^d ; ^{rlunt@msu.edu" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}Author Vitae

关键词：Lead-free perovskites ; Air-stable ; Vacuum deposition ; Tin halide perovskite ; Inorganic halide perovskite

刊名：Nano Energy

出版年：2016

6.Niobium/Vanadium doped TiO₂ multilayered sol-gel films: Structure, surface chemistry and optical properties

作者：Maria Covei^a ; ^b ; Luminita Predoana^a ; Petre Osiceanu^a ; Jose Maria Calderon-Moreno^a ; Mihai Anastasescu^a ; Silviu Preda^a ; Madalina Nicolescu^a ; ^{mnicolescu@icf.ro" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Mariuca Gartner^a ; Maria Zaharescu^a

关键词：Nb-doping ; V-doping ; TiO2 thin films ; Sol-gel ; Microstructure ; Surface chemistry

刊名：Ceramics International

出版年：2016

7.Depth profile analysis by plasma profiling time of flight mass spectrometry

作者：Agnè ; s Tempez ; ^{agnes.tempez@horiba.com" class="auth_mail} ; Sé ; bastien Legendre ; Patrick Chapon

关键词：Depth profiling ; GD-MS ; PP-TOFMS ; Dopants ; Interface

刊名：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

出版年：1 August 2014

8.p/n junction depth control using amorphous silicon as a low temperature dopant source

作者：G. Lavareda ; A. de Calheiros Velozo ; C. Nunes de Carvalho ; A. Amaral

关键词：Dopant sources ; Crystalline-silicon ; Dopant diffusion ; SIMS ; Doping profile

刊名：Thin Solid Films

出版年：2013

9.P²IMS depth profile analysis of high temperature boron oxynitride dielectric films

作者：N. Badi ; S. Vijayaraghavan ; A. Benqaoula ; A. Tempez ; C. Tauzi猫de ; P. Chapon

关键词：BON/metal interface ; High temperature dielectric ; Boron diffusion ; Plasma profiling ion mass spectrometry

刊名：Applied Surface Science

出版年：15 February, 2014

10.Susceptor-assisted microwave annealing for activation of arsenic dopants in silicon

作者：T.L. Alford^a ; ^TA@asu.edu ; Mandar J. Gadre^a ; Rajitha N.P. Vemuri^a ; N. David Theodore^b

关键词：Solid phase epitaxial regrowth ; Dopant activation ; Minimum dopant diffusion ; Microwave anneal

刊名：Thin Solid Films

出版年：2012

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