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1.Two single-layer porous gallium nitride nanosheets: A first-principles study

作者：Hui Zhang^a ; Fan-Sun Meng^b ; Yan-Bin Wu^a ; ^{yanbinwu@outlook.com}

关键词：A. Gallium nitride ; D. Electronic structure ; E. First-principles calculations

刊名：Solid State Communications

出版年：2017

2.Electroelastic fields for a piezoelectric threading dislocation in various growth orientations of gallium nitride

作者：Dhaneshwar Mishra ; Y. Eugene Pak ; ^{genepak@snu.ac.kr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Threading dislocations ; Electroelastic fields ; Piezoelectric gallium nitride thin film ; Polar/semi-polar/non-polar growth orientations ; Finite element modeling ; Peach-Kohler force & J-integral

刊名：European Journal of Mechanics - A/Solids

出版年：2017

3.Magnetic properties of gadolinium and carbon co-doped gallium nitride

作者：N. Syed Kaleemullah^a ; S. Ramsubramanian^b ; R. Mohankumar^a ; S. Munawar Basha^c ; M. Rajagopalan^a ; J. Kumar^a ; ^{marsjk@gmail.com}

关键词：Gallium nitride ; Magnetic properties ; Carbon ; Gadolinium ; DFT

刊名：Solid State Communications

出版年：2017

4.Effect of nitrogen doping on the structural, optical and electrical properties of indium tin oxide films prepared by magnetron sputtering for gallium nitride light emitting diodes

作者：Lifei Tian^a ; ^b ; ; Guoan Cheng^a ; ^{gacheng@bnu.edu.cn} ; Hougong Wang^b ; Yulong Wu^a ; Ruiting Zheng^a ; Peijun Ding^b

关键词：Indium tin oxide ; Nitrogen doping ; Magnetron sputtering ; X-ray photoelectron spectroscopy ; High resolution transmission electron microscope ; Gallium nitride based light emitting diodes

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

5.Using nanoindentation and cathodoluminescence to identify the bundled effect of gallium nitride grown by PA-MBE

作者：Hua-Chiang Wen^a ; ^{a091316104@gmail.com} ; Wu-Ching Chou^a ; ^{wuchingchou@mail.nctu.edu.tw} ; Tun-Yuan Chiang^b ; Yeau-Ren Jeng^c ; Wen-Chung Fan^a

关键词：Molecular beam epitaxy ; Gallium nitride ; Desorption ; Cathodoluminescence

刊名：Journal of Alloys and Compounds

出版年：2017

6.Materials response to glancing incidence femtosecond laser ablation

作者：McLean P. Echlin^a ; ^{mechlin@engineering.ucsb.edu} ; Michael S. Titus^a ; Marcus Straw^b ; Peter Gumbsch^c ; ^d ; Tresa M. Pollock^a

关键词：Femtosecond laser ; Silicon ; Transmission electron microscopy ; Amorphization ; Focused ion beam ; GaN ; Gallium nitride ; Copper ; Cu ; Nickel ; Ni ; STO ; SrTiO3 ; Strontium titanate

刊名：Acta Materialia

出版年：2017

7.Electronic structure of GaN nanotubes

作者：Johnathan M. Sodré ; ^a ; Elson Longo^b ; Carlton A. Taft^c ; Joã ; o B.L. Martins^d ; ^lopes@unb.br ; José ; D. dos Santos^a

关键词：Ab initio ; DFT ; Gallium nitride nanotubes ; Electronic properties ; Orbital contribution ; Density of states

刊名：Comptes Rendus Chimie

出版年：2017

8.High quality (In)GaN films on homoepitaxial substrates

作者：Li Liu^a ; ^b ; ^c ; ^{liulihubei@163.com} ; Yong Zhang^a ; ^b ; ^c ; ^{zycq@scnu.edu.cn} ; Yian Yin^a ; ^b ; ^c ; ^{20081128@m.scnu.edu.cn}

关键词：Homoepitaxy ; Gallium nitride ; Metal organic chemical vapor deposition

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

9.Achievement of normally-off AlGaN/GaN high-electron mobility transistor with p-NiO_x capping layer by sputtering and post-annealing

作者：Shyh-Jer Huang^a ; Cheng-Wei Chou^a ; ^{j2222222229@gmail.com} ; Yan-Kuin Su^a ; ^{yksu@mail.ncku.edu.tw} ; Jyun-Hao Lin^a ; Hsin-Chieh Yu^a ; De-Long Chen^a ; Jian-Long Ruan^b

关键词：HEMTs ; Gallium nitride ; Enhancement mode ; Sputter ; p-NiOx

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

10.The effects of flow multiplicity on GaN deposition in a rotating disk CVD reactor

作者：P.A. Gkinis ; I.G. Aviziotis ; E.D. Koronaki ; ^{ekor@mail.ntua.gr} ; G.P. Gakis ; A.G. Boudouvis

关键词：A1. Mass transfer ; A1. Nonlinearity ; A1. Arrhenius plot ; A3. Metalorganic chemical vapor deposition ; A3. Film uniformity ; B1. Gallium nitride

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

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