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在“Elsevier电子期刊”中，命中：584条，耗时：小于0.01 秒

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1.Two-zone SiGe base heterojunction bipolar charge plasma transistor for next generation analog and RF applications

作者：Lokesh Kumar Bramhane ; ^{lokesh.bramhane@iiitdmj.ac.in} ; Jawar Singh ^{jawar@iiitdmj.ac.in}

关键词：Two-zone SiGe base ; Heterojunction ; Charge plasma ; Work function ; Self gain ; Cut-off frequency ; Operating range

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

2.Small-signal characterization and modelling of 55 nm SiGe BiCMOS HBT up to 325 GHz

作者：Marina Deng^a ; ^{marina.deng@ims-bordeaux.fr} ; Thomas Qué ; merais^b ; Simon Bouvot^a ; ^b ; Daniel Gloria^b ; Pascal Chevalier^b ; Sylvie Lé ; pilliet^a ; Franç ; ois Danneville^a ; Gilles Dambrine^a

关键词：Device characterization ; G-band ; H-band ; Heterojunction bipolar transistors (HBTs) ; Silicon-Germanium (SiGe)

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

3.Efficient light output power for InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors incorporated with InGaAs quantum wells

作者：Tzu-Hsuan Huang ; Meng-Chyi Wu ; ^{mcwu@ee.nthu.edu.tw" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Heterojunction bipolar transistor (HBT) ; Heterojunction bipolar light-emitting transistor (HBLET) ; Light output power ; Frequency response

刊名：Solid State Electronics

出版年：2016

4.ELDRS in SiGe transistors for room and low-temperature irradiation

作者：V.S. Pershenkov ; A.S. Bakerenkov ; V.A. Felitsyn ; ^{VAFelitsyn@mephi.ru" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; A.S. Rodin ; V.A. Telets ; V.V. Belyakov

关键词：Silicon-germanium heterojunction bipolar transistor (SiGe HBT) ; Enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) ; High dose rate ; Low dose rate ; Radiation degradation ; Bandgap narrowing

刊名：Microelectronics Reliability

出版年：2016

5.Advanced thermal simulation of SiGe:C HBTs including back-end-of-line

作者：Vincenzo d'Alessandro^a ; ^{vindales@unina.it} ; Alessandro Magnani^a ; Lorenzo Codecasa^b ; Niccolò ; Rinaldi^a ; Klaus Aufinger^c

关键词：Back-end-of-line (BEOL) ; Finite element method (FEM) ; Heterojunction bipolar transistor (HBT) ; Self-heating (SH) ; Silicon germanium (SiGe) ; Thermal resistance

刊名：Microelectronics Reliability

出版年：2016

6.Polymer enabled 100 Gbaud connectivity for datacom applications

作者：V. Katopodis^a ; ^{vkat@mail.ntua.gr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; P. Groumas^a ; Z. Zhang^b ; R. Dinu^e ; E. Miller^e ; A. Konczykowska^c ; J.-Y. Dupuy^c ; A. Beretta^d ; A. Dede^d ; J.H. Choi^b ; P. Harati^b ; F. Jorge^c ; V. Nodjiadjim^c ; Muriel Riet^c ; G. Cangini^e ; A. Vannucci^d ; N. Keil^b ; H.-G. Bach^b ; N. Grote^b ; H. Avramopoulos^a ; Ch. Kouloumentas^a

关键词：Polymers ; Electro-optic polymers ; Chromophores ; Modulators ; Transmitters ; Monolithic integration ; Hybrid integration ; InP-DHBT electronics ; Optical interconnects ; Data centers ; 100 ; GbE ; Single-lane 100G interfaces

刊名：Optics Communications

出版年：2016

7.Numerical analysis of distortion characteristics of heterojunction bipolar transistor laser

作者：S. Piramasubramanian ; ^{spirama@annauniv.edu" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; M. Ganesh Madhan ; ^{mganesh@annauniv.edu" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Jyothsna Nagella ; G. Dhanapriya

关键词：Transistor laser ; Second harmonic distortion (2HD) ; Third order intermodulation distortion (IMD3) ; Numerical simulation ; rate equations

刊名：Optics Communications

出版年：2015

8.Test simulation of neutron damage to electronic components using accelerator facilities

作者：D.B. King ; ^{dbking@sandia.gov" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; R.M. Fleming ; E.S. Bielejec ; J.K. McDonald ; G. Vizkelethy

关键词：Bipolar transistors ; Radiation effects ; Ion beam damage ; Neutron damage ; Displacement damage

刊名：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

出版年：2015

9.An improved model for InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistors

作者：Yuxia Shi^a ; ^{shiyuxia07@gmail.com} ; Zhi Jin^b ; Yongbo Su^b ; Yuxiong Cao^b ; Yan Wang^a ; ^{wangy46@tsinghua.edu.cn}

关键词：Double heterojunction bipolar transistors ; InP/InGaAs ; Device model ; Vertical bipolar inter-company (VBIC) model

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2013

10.An enhanced model for InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor

作者：Yuxia Shi ; ^{shiyuxia07@gmail.com} ; Yan Wang

关键词：Heterojunction bipolar transistors (HBT) ; InGaP/GaAs ; Large signal model ; VBIC model

刊名：Microelectronics Journal

出版年：2013

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