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1.High field-effect mobility normally-off AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET on Si substrate by selective area growth technique

作者：Hiroshi Kambayashi ; ^a ; ^{kambayashi.hiroshi@apd.fites.jp} ; Yoshihiro Satoh^a ; Takuya Kokawa^a ; Nariaki Ikeda^a ; Takehiko Nomura^a ; Sadahiro Kato^a

关键词：Normally-off ; Gallium nitride ; Heterojunction field-effect transistor (HFET) ; MOS ; Selective area growth (SAG) technique

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2011

2.Over 100 A operation normally-off AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET on Si substrate with high-breakdown voltage

作者：Hiroshi Kambayashi ; Yoshihiro Satoh ; Shinya Ootomo ; Takuya Kokawa ; Takehiko Nomura ; Sadahiro Kato ; Tat-sing Pawl Chow

关键词：Normally-off ; Gallium Nitride ; Heterojunction field-effect transistor (HFET) ; MOS ; Over 100 A operation

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2010

3.Detection of clinically relevant levels of protein analyte under physiologic buffer using planar field effect transistors

作者：Samit Gupta ; Mark Elias ; Xuejin Wen ; John Shapiro ; Leonard Brillson ; Wu Lu ; Stephen Craig Lee

关键词：Protein detection ; BioFET ; ImmunoFET ; MIG ; Streptavidin ; AlGaN

刊名：Biosensors and Bioelectronics

出版年：2008

4.Insulating substrates for cubic GaN-based HFETs

作者：E. Tschumak ; M.P.F. de Godoy ; D.J. As ; K. Lischka

关键词：GaN ; 3C-SiC

刊名：Microelectronics Journal

出版年：2009

5.Maximum powers of low-loss series–shunt FET RF switches

作者：Z. Yang ; X. Hu ; J. Yang ; G. Simin ; M. Shur ; R. Gaska

关键词：RF ; Switch ; HFET ; AlGaN ; GaN

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2009

6.Modelling and measurements of the parasitic electrostatic capacitances in Si/SiGe n-HFET

作者：N. Zerounian ; M. Enciso-Aguilar ; T. Hackbarth ; H.-J. Herzog ; F. Aniel

关键词：Heterojunction field effect transistor ; SiGe ; Capacitance ; Parasitic capacitance ; Finite element method ; Device modelling

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2007

7.Effects of a molecular beam epitaxy grown AlN passivation layer on AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors

作者：Hwang ; Jeonghyun ; Schaff ; William J. ; Green ; Bruce M. ; Cha ; Hoyoung ; Eastman ; Lester F.

关键词：AlGaN/GaN HFETs ; Surface passivation ; AlN

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2004

8.A high-power AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistor

作者：Yoshida ; Seikoh ; Ishii ; Hirotatsu ; Li ; Jiang ; Wang ; Deliang ; Ichikawa ; Masakazu

关键词：AlGaN ; GaN ; HFET ; GSMBE ; Breakdown voltage ; On-state resistance

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2003

9.Interfacial chemistry and energy band line-up of pentacene with the GaN (0 0 0 1) surface

作者：J. Uhlrich ; M. Garcia ; S. Wolter ; A.S. Brown ; T.F. Kuech

关键词：A1. Interfaces ; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy ; B1. Nitrides

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2007

10.C-doped GaN buffer layers with high breakdown voltages for high-power operation AlGaN/GaN HFETs on 4-in Si substrates by MOVPE

关键词：A3. Metalorganic chemical vapor deposition ; B1. AlGaN ; B1. GaN ; B1. Nitride ; B3. HFET

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2007

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