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在“Elsevier电子期刊”中，命中：1,925条，耗时：0.0349786 秒

1.DC and RF characterization of InGaAs replacement metal gate (RMG) nFETs on SiGe-OI FinFETs fabricated by 3D monolithic integration

作者：V. Deshpande^a ; ^{VEE@zurich.ibm.com} ; V. Djara^a ; E. O'Connor^a ; P. Hashemi^b ; K. Balakrishnan^b ; D. Caimi^a ; M. Sousa^a ; L. Czornomaz^a ; J. Fompeyrine^a

关键词：3D monolithic ; InGaAs ; RMG ; High-frequency ; FinFET

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

2.Back-gated InGaAs-on-insulator lateral N⁺NN⁺ MOSFET: Fabrication and typical conduction mechanisms

作者：H.J. Park^a ; ^{hyungjin.park@imep.grenoble-inp.fr} ; L. Pirro^a ; L. Czornomaz^b ; I. Ionica^a ; M. Bawedin^a ; V. Djara^b ; V. Deshpande^b ; S. Cristoloveanu^a

关键词：III&ndashV ; InGaAs ; SOI ; pseudo-MOSFET ; MOSFET ; Wafer bonding ; Carrier mobility ; Strain ; Selective regrowth

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

3.High performance multi-channel MOSFET on InGaAs for RF amplifiers

作者：Manoj Singh Adhikari ; ^{manoj.space99@gmail.com} ; Yashvir Singh

关键词：InGaAs ; MOSFET ; Transconductance ; Cut-off frequency

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

4.The striking influence of rapid thermal annealing on InGaAsP grown by MBE: material and photovoltaic device

作者：Lian Ji^a ; ^b ; Ming Tan^b ; Chao Ding^a ; Kazuki Honda^c ; Ryo Harasawa^c ; Yuya Yasue^c ; Yuanyuan Wu^b ; Pan Dai^b ; Atsushi Tackeuchi^c ; Lifeng Bian^b ; Shulong Lu^b ; ^{sllu2008@sinano.ac.cn} ; Hui Yang^a ; ^b

关键词：A3. Molecular beam epitaxy ; B2. Semiconducting III-V materials ; B3. Solar cells

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

5.Ultranarrow spectral response of InGaAs QDIPs through the optimization of strain-coupled stacks and capping layer composition

作者：Debiprasad Panda ; Akshay Balgarkashi ; Saikalash Shetty ; Hemant Ghadi ; Binita Tongbram ; Subhananda Chakrabarti

关键词：Molecular beam epitaxy ; Photoluminescence ; Spectral response ; Transmission electron microscopy ; Photoluminescence excitation

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2017

6.N-type doping strategies for InGaAs

作者：Henry Aldridge Jr^a ; ; Aaron G. Lind^a ; Cory C. Bomberger^b ; Yevgeniy Puzyrev^c ; Joshua M.O. Zide^b ; Sokrates T. Pantelides^c ; Mark E. Law^a ; Kevin S. Jones^a

关键词：III&ndash ; V semiconductors ; Semiconductor processing ; Thermal processing ; Dopant activation ; Dopant diffusion

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2017

7.InGaAs and GaAs quantum dot solar cells grown by droplet epitaxy

作者：Peng Yu^a ; Jiang Wu^b ; ^{jiang.wu@ucl.ac.uk} ; Lei Gao^c ; Huiyun Liu^b ; Zhiming Wang^a ; ^{zhmwang@uestc.edu.cn}

关键词：Quantum dots ; Solar cells ; Drop epitaxy ; Intraband ; Interband ; Intermediate band

刊名：Solar Energy Materials and Solar Cells

出版年：2017

8.Monolithic integration of a InP AWG and InGaAs photodiodes on InP platform

关键词：Photodetector array ; Monolithic ; Evanescent coupling ; Arrayed waveguide grating

刊名：Optics & Laser Technology

出版年：2017

9.Composition quantification of electron-transparent samples by backscattered electron imaging in scanning electron microscopy

作者：E. Mü ; ller ; ^{erich.mueller@kit.edu} ; D. Gerthsen

关键词：Scanning electron microscopy ; Backscattered electrons ; Low electron energy ; Composition quantification ; InGaAs

刊名：Ultramicroscopy

出版年：2017

10.Prediction of the photoluminescence of In_0.53Ga_0.47As/InP irradiated by 1 MeV electron

作者：Liu Changshi ^{lcswl@mail.zjxu.edu.cn}

关键词：Photoluminescence intensity ; In0.53Ga0.47As/InP ; Simulation

刊名：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

出版年：2017

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