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在“Elsevier电子期刊”中，命中：1,438条，耗时：小于0.01 秒

1.The Effect of the number of InGaN/GaN pairs on the photoelectrochemical properties of InGaN/GaN multi quantum wells

作者：Hyojung Bae^a ; Jun-Beom Park^a ; Katsushi Fujii^b ; Hyo-Jong Lee^c ; Sang-Hyun Lee^d ; Sang-Wan Ryu^a ; June Key Lee^a ; Jun-Seok Ha^a ; ^{jsha@jnu.ac.kr}

关键词：Hydrogen generation ; InGaN/GaN ; Multi quantum well ; Photoelectrochemistry ; Water splitting

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

2.Strain and microstructures of GaN epilayers with thick InGaN interlayer grown by MOCVD

作者：Jianxun Liu ; Hongwei Liang ; ^{hwliang@dlut.edu.cn} ; Yang Liu ; Xiaochuan Xia ; Huolin Huang ; Pengcheng Tao ; Qasim Abbas Sandhu ; Rensheng Shen ; Yingmin Luo ; Guotong Du

关键词：GaN ; InGaN interlayer ; Strain ; Microstructure

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2017

3.Improving InGaN heterojunction solar cells efficiency using a semibulk absorber

作者：M. Arif^a ; ^b ; ; W. Elhuni^c ; J. Streque^a ; S. Sundaram^a ; S. Belahsene^d ; Y. El Gmili^a ; M. Jordan^a ; ^e ; X. Li^a ; ^e ; G. Patriarche^d ; A. Slaoui^f ; A. Migan^c ; R. Abderrahim^d ; Z. Djebbour^c ; ^g ; P.L. Voss^a ; ^e ; J.P. Salvestrini^a ; ^b ; ^{jean-paul.salvestrini@univ-lorraine.fr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; A. Ougazzaden^a ; ^e

关键词：InGaN ; Solar cells ; Semibulk

刊名：Solar Energy Materials and Solar Cells

出版年：2017

4.Electronic excitation induced structural and optical modifications in InGaN/GaN quantum well structures grown by MOCVD

作者：K. Prabakaran^a ; R. Ramesh^a ; M. Jayasakthi^a ; S. Surender^a ; S. Pradeep^a ; M. Balaji^c ; K. Asokan^d ; K. Baskar^a ; ^b ; ^{drbaskar2009@gmail.com} ; ^{karanphy07@gmail.com}

关键词：InGaN ; Quantum well ; Electronic excitation ; Intermixing effects ; Photoluminescence

刊名：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

出版年：2017

5.Multiband InGaN nanowires with enhanced visible photon absorption for efficient photoelectrochemical water splitting

作者：M. Gopalakrishnan^a ; S. Gopalakrishnan^a ; G.M. Bhalerao^b ; K. Jeganathan^a ; ^{kjeganathan@yahoo.com} ; ^{jagan@physics.bdu.ac.in}

关键词：InGaN nanowires ; Chemical vapour deposition ; Photoanode ; Photoelectrochemical water splitting ; Light absorption ; Charge carrier diffusion

刊名：Journal of Power Sources

出版年：2017

6.Unintentional gallium incorporation in InGaN layers during epitaxial growth

作者：Kun Zhou^a ; ^{zhoukun2011@sinano.ac.cn} ; Huaijin Ren^a ; Masao Ikeda^b ; Jianping Liu^b ; Yi Ma^a ; Songxin Gao^a ; Chun Tang^a ; Deyao Li^b ; Liquan Zhang^b ; Hui Yang^b

关键词：Unintentional incorporation ; Metalorganic vapor phase epitaxy ; InGaN ; Growth rate ; Surface morphology

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

7.Performance characteristics of deep violet InGaN DQW lasers based on different compliance layers

作者：Ghasem Alahyarizadeh^a ; ^{g_alahyarizadeh@yahoo.com} ; Maryam Amirhoseiny^b ; ^{amirhoseiny_m@yahoo.com}

关键词：InGaN ; Laser diode ; Quantum well ; Numerical simulation ; Compliance layer

刊名：Optik - International Journal for Light and Electron Optics

出版年：2017

8.Simultaneous light emission and detection of InGaN/GaN multiple quantum well diodes for in-plane visible light communication

作者：Yongjin Wang^a ; ; Yin Xu^a ; Yongchao Yang^a ; Xumin Gao^a ; Bingcheng Zhu^a ; Wei Cai^a ; Jialei Yuan^a ; Rong Zhang^b ; Hongbo Zhu^a

关键词：InGaN/GaN multiple quantum well diode ; In-plane visible light communication ; Full-duplex communication ; GaN-on-silicon platform ; Waveguide ; Microfabrication

刊名：Optics Communications

出版年：2017

9.Quantum confinement effect on the electronic and optical features of InGaN-based solar cells with InGaN/GaN superlattices as the absorption layers

作者：A. Laref^a ; ^b ; ^{amel_la06@yahoo.fr} ; A. Altujar^a ; S. Laref^c ; S.J. Luo^d

关键词：GaN-InN solar cell based material ; Photo-voltaic materials ; Optoelectronic

刊名：Solar Energy

出版年：2017

10.The activation energy for Mg acceptor in the Ga-rich InGaN alloys

作者：Chuan-Zhen Zhao^a ; ^{as3262001@aliyun.com} ; Tong Wei^b ; Li-Ying Chen^a ; Sha-Sha Wang^a ; Jun Wang^a

关键词：InGaN alloy ; Activation energy ; Mg-doped ; Hydrogen atom like model

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

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