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条
1.
Process optimizations to recessed e-SiGe source/drain for performance enhancement in 22 nm all-last high-k/metal-gate pMOSFETs
作者:
Changliang Qin
a
;
Guilei Wang
a
;
Peizhen Hong
a
;
Jinbiao Liu
a
;
Huaxiang Yin
a
;
yinhuaxiang@ime.ac.cn" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author
;
Haizhou Yin
a
;
Xiaolong Ma
a
;
Hushan Cui
a
;
Yihong Lu
a
;
Lingkuan Meng
a
;
Jinjuan Xiang
a
;
Huic
ai Zhong
a
;
Huilong Zhu
a
;
Qiuxia Xu
a
;
Junfeng
Li
a
;
Jian Yan
a
;
Chao Zhao
a
;
Henry H. Radamson
b
关键词:
Mosfet
;
SiGe
;
Source/drain recess
;
Epitaxy
;
Source/drain extension implant
;
22
;
nm node
刊名:Solid State Electronics
出版年:2016
1
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按出版年细分(1)
2016年(1)
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