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在“Elsevier电子期刊”中，命中：1,957条，耗时：小于0.01 秒

1.Measurement forecast of anomalous threshold voltages in BCD LV submicron n-MOSFETs with two artificial intelligence methods

作者：Shen-Li Chen ; ^{jackchen@nuu.edu.tw} ; Dun-Ying Shu

关键词：Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) ; Fuzzy-neural network (FNN) ; Grey system (GS) ; Low-voltage (LV) ; Threshold voltage (Vth)

刊名：Measurement

出版年：2017

2.Numerical investigation of plasma effects in silicon MOSFETs for THz-wave detection

作者：C. Jungemann^a ; ^{cj@ithe.rwth-aachen.de} ; T. Linn^a ; K. Bittner^b ; H.-G. Brachtendorf^b

关键词：Drift-diffusion model ; Resistive mixer ; Plasma waves ; THz detectors

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

3.RF SOI CMOS technology on 1^st and 2^nd generation trap-rich high resistivity SOI wafers

作者：B. Kazemi Esfeh^a ; ^{Babak.kazemiesfeh@uclouvain.be} ; S. Makovejev^b ; Didier Basso^c ; Eric Desbonnets^c ; V. Kilchytska^a ; D. Flandre^a ; J.-P. Raskin^a

关键词：High-resistivity (HR) SOI substrate ; Trap-rich high-resistivity silicon ; Enhanced signal integrity silicon-on-insulator (eSI HR-SOI) ; Substrate effective resistivity ; Silicon-on-insulator ; DC and RF performance ; Partially-depleted (PD) SOI MOSFETs ; Crosstalk ; Digital substrate noise

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

4.An enhanced MOSFET threshold voltage model for the 6-300 K temperature range

作者：Nguyen Cong Dao^a ; ^{nguyen.dao@sydney.edu.au} ; Abdallah El Kass^a ; Mostafa Rahimi Azghadi^a ; Craig T. Jin^a ; Jonathan Scott^b ; Philip H.W. Leong^a

关键词：Cryogenic electronics ; Threshold voltage ; MOSFETs

刊名：Microelectronics Reliability

出版年：2017

5.Effective Schottky barrier lowering of Ni silicide/p-Si(100) using an ytterbium confinement structure for high performance n-type MOSFETs

作者：Keng-Hui Shen^a ; Szu-Hung Chen^b ; Wei-Ting Liu^a ; Bao-Hsien Wu^a ; Lih-Juann Chen^a ; ^{ljchen@mx.nthu.edu.tw}

关键词：Schottky barrier ; nMOSFET ; NiSi ; Yb confinement

刊名：Materials & Design

出版年：2017

6.Systematic method for electrical characterization of random telegraph noise in MOSFETs

作者：Carlos Marquez^a ; ^{carlosmg@ugr.es} ; Noel Rodriguez^a ; Francisco Gamiz^a ; Akiko Ohata^b

关键词：Random telegraph noise ; MOSFET reliability ; Low frequency noise (LFN)

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

7.Quasi-3D modeling of surface potential and threshold voltage of Triple Metal Quadruple Gate MOSFETs

作者：Santosh Kumar Gupta ; ^{skg@mnnit.ac.in} ; Mihir Kumar P. Shah ^{shahmihir.osho@gmail.com}

关键词：Equivalent number of gates (ENG) ; Quasi-3D ; Surface potential ; Threshold voltage ; Triple Metal Quadruple Gate

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

8.An in-depth analysis of temperature effect on DIBL in UTBB FD SOI MOSFETs based on experimental data, numerical simulations and analytical models

作者：A.S.N. Pereira^a ; ^b ; ^{ariannesoares@fei.edu.br} ; G. de Streel^a ; N. Planes^c ; M. Haond^c ; R. Giacomini^b ; D. Flandre^a ; V. Kilchytska^a

关键词：Fully-Depleted Silicon-On-Insulator (FD SOI) ; UTBB ; DIBL ; Temperature dependence

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

9.Processes in radiation sensitive MOSFETs during irradiation and post irradiation annealing responsible for threshold voltage shift

作者：Milić M. Pejović

关键词：Fixed traps ; Radiation dose ; Switching traps ; Threshold voltage shift ; Annealing

刊名：Radiation Physics and Chemistry

出版年：2017

10.A methodology for projecting SiO₂ thick gate oxide reliability on trench power MOSFETs and its application on MOSFETs V_GS rating

作者：E. Efthymiou ; ^{Epameinondas.Efthymiou@nxp.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; P. Rutter ; P. Whiteley

关键词：Trench MOSFETs ; Thick gate oxide ; Reliability ; TDDB ; E-model ; Weibull ; VGS rating

刊名：Microelectronics Reliability

出版年：2016

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