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在“Elsevier电子期刊”中，命中：1,879条，耗时：小于0.01 秒

1.The influence of In composition on properties of In_xGa_1-xAs/GaAs structures grown by MOVPE and in situ monitored by spectral reflectance

作者：M. Bedoui ; ^{bedoui.mariem@yahoo.fr} ; M.M. Habchi ; I. Moussa ; A. Rebey

关键词：InxGa1-xAs/GaAs structures ; Structural quality ; Atomic force microscopy ; In situ spectral reflectance ; MOVPE

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

2.An investigation of near-infrared photoluminescence from AP-MOVPE grown InSb/GaSb quantum dot structures

作者：C.C. Ahia^a ; ; N. Tile^a ; Z.N. Urgessa^a ; J.R. Botha^a ; J.H. Neethling^b

关键词：A1. Defects ; A1. Nucleation ; A1. Substrates ; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy ; A3. Quantum wells

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

3.Formation of a compact Ga-doped ZnO layer over vertical free-standing GaP nanowires

作者：A. Laurenčí ; ková ; ^a ; ^{Agata.Laurencikova@savba.sk} ; I. Novotný ; ^b ; S. Hasenö ; hrl^a ; J. Dé ; rer^a ; P. Eliá ; &scaron ; ^a ; J. Ková ; č^b ; J. Ková ; č jr.^b ; E. Dobročka^a ; J. Nová ; k^a

关键词：Nanowires ; GaP ; ZnO ; MOVPE growth ; Sputtering

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

4.Analysis of the Si(111) surface prepared in chemical vapor ambient for subsequent III-V heteroepitaxy

作者：W. Zhao^a ; M. Steidl^a ; A. Paszuk^a ; S. Brü ; ckner^a ; ^b ; A. Dobrich^a ; O. Supplie^a ; ^b ; P. Kleinschmidt^a ; T. Hannappel^a ; ^b ; ^{thomas.hannappel@tu-ilmenau.de" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：(MO)CVD ; MOVPE ; Thermal deoxidation ; Si(111) ; Hydrogen ; III-V-on-Si heteroepitaxy

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

5.Growth of lattice-matched GaInAsP grown on vicinal GaAs(001) substrates within the miscibility gap for solar cells

作者：Ryuji Oshima^a ; ^b ; ^{r.oshima@aist.go.jp} ; Ryan M. France^a ; John F. Geisz^a ; Andrew G. Norman^a ; Myles A. Steiner^a

关键词：A3. Metalorganic vapor phase epitaxy ; B1. Alloys ; B2. Semiconducting quaternary alloys ; B3. Solar cells

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

6.Optical and mechanical properties of a compact ZnO layer with embedded GaP nanowires

作者：J. Nová ; k^a ; ^{eleknova@savba.sk} ; A. Laurenčí ; ková ; ^a ; S. Hasenohrl^a ; P. Eliá ; &scaron ; ^a ; I. Novotný ; ^b ; J. Ková ; č^b ; M. Valentin^c ; J. Ková ; č jr.^b ; J. Ďuri&scaron ; ová ; ^d ; D. Pudi&scaron ; ^d

关键词：Nanowires ; Compact layer ; Antireflection ; Nanoindentor ; Hardness

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

7.Local Bi ordering in MOVPE grown Ga(As,Bi) investigated by high resolution scanning transmission electron microscopy

刊名：Applied Materials Today

出版年：2017

8.Structural and optical study of BInGaAs/GaAs quantum wells grown by MOVPE emitting above 1.1 eV

作者：Radhia Hamila^a ; ^{radhiahamila@yahoo.fr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Faouzi Saidi^a ; Philippe Rodriguez^b ; Laurent Auvray^b ; Hassen Maaref^a

关键词：BInGaAs ; HRXRD ; MOVPE ; PL ; Solar cell

刊名：Microelectronic Engineering

出版年：2016

9.MOVPE growth and characterization of heteroepitaxial germanium on silicon using iBuGe as precursor

作者：G. Attolini^a ; J.S. Ponraj^b ; C. Frigeri^a ; E. Buffagni^a ; C. Ferrari^a ; N. Musayeva^c ; ^d ; R. Jabbarov^c ; ^d ; M. Bosi^a ; ^{bosi@imem.cnr.it" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Germanium ; Epitaxy ; Isobutyl germane ; MOVPE ; Characterization

刊名：Applied Surface Science

出版年：2016

10.Study of the partial decomposition of GaN layers grown by MOVPE with different coalescence degree

作者：H. Bouazizi^a ; N. Chaaben^a ; ^{chaabennoureddine@yahoo.fr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Y. El Gmili^b ; A. Bchetnia^a ; J.P. Salvestrini^c ; ^b ; B. El Jani^a

关键词：A1. Decomposition ; A1. Coalescence ; A1. SEM ; A1. Roughness ; A3. MOVPE ; B2. GaN

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

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