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1.Growth of lattice-matched GaInAsP grown on vicinal GaAs(001) substrates within the miscibility gap for solar cells

作者：Ryuji Oshima^a ; ^b ; ^{r.oshima@aist.go.jp} ; Ryan M. France^a ; John F. Geisz^a ; Andrew G. Norman^a ; Myles A. Steiner^a

关键词：A3. Metalorganic vapor phase epitaxy ; B1. Alloys ; B2. Semiconducting quaternary alloys ; B3. Solar cells

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

2.The influence of In composition on properties of In_xGa_1-xAs/GaAs structures grown by MOVPE and in situ monitored by spectral reflectance

作者：M. Bedoui ; ^{bedoui.mariem@yahoo.fr} ; M.M. Habchi ; I. Moussa ; A. Rebey

关键词：InxGa1-xAs/GaAs structures ; Structural quality ; Atomic force microscopy ; In situ spectral reflectance ; MOVPE

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

3.An investigation of near-infrared photoluminescence from AP-MOVPE grown InSb/GaSb quantum dot structures

作者：C.C. Ahia^a ; ; N. Tile^a ; Z.N. Urgessa^a ; J.R. Botha^a ; J.H. Neethling^b

关键词：A1. Defects ; A1. Nucleation ; A1. Substrates ; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy ; A3. Quantum wells

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

4.Formation of a compact Ga-doped ZnO layer over vertical free-standing GaP nanowires

作者：A. Laurenčí ; ková ; ^a ; ^{Agata.Laurencikova@savba.sk} ; I. Novotný ; ^b ; S. Hasenö ; hrl^a ; J. Dé ; rer^a ; P. Eliá ; &scaron ; ^a ; J. Ková ; č^b ; J. Ková ; č jr.^b ; E. Dobročka^a ; J. Nová ; k^a

关键词：Nanowires ; GaP ; ZnO ; MOVPE growth ; Sputtering

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

5.Optical and mechanical properties of a compact ZnO layer with embedded GaP nanowires

作者：J. Nová ; k^a ; ^{eleknova@savba.sk} ; A. Laurenčí ; ková ; ^a ; S. Hasenohrl^a ; P. Eliá ; &scaron ; ^a ; I. Novotný ; ^b ; J. Ková ; č^b ; M. Valentin^c ; J. Ková ; č jr.^b ; J. Ďuri&scaron ; ová ; ^d ; D. Pudi&scaron ; ^d

关键词：Nanowires ; Compact layer ; Antireflection ; Nanoindentor ; Hardness

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

6.MOVPE growth studies of Ga(NAsP)/(BGa)(AsP) multi quantum well heterostructures (MQWH) for the monolithic integration of laser structures on (001) Si-substrates

作者：P. Ludewig^a ; ^b ; ^{peter.ludewig@physik.uni-marburg.de" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; S. Reinhard^a ; K. Jandieri^a ; T. Wegele^a ; A. Beyer^a ; L. Tapfer^c ; K. Volz^a ; W. Stolz^a ; ^b

关键词：A3. Metalorganic vapor phase epitaxy ; B1. Dilute nitrides ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials ; B3. Laser diodes

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

7.MOVPE growth and characterization of heteroepitaxial germanium on silicon using iBuGe as precursor

作者：G. Attolini^a ; J.S. Ponraj^b ; C. Frigeri^a ; E. Buffagni^a ; C. Ferrari^a ; N. Musayeva^c ; ^d ; R. Jabbarov^c ; ^d ; M. Bosi^a ; ^{bosi@imem.cnr.it" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Germanium ; Epitaxy ; Isobutyl germane ; MOVPE ; Characterization

刊名：Applied Surface Science

出版年：2016

8.Effect of GaAs substrate orientation on the growth kinetic of GaN layer grown by MOVPE

作者：J. Laifi^a ; N. Chaaben^a ; H. Bouazizi^a ; N. Fourati^b ; C. Zerrouki^b ; Y. El Gmili^c ; A. Bchetnia^a ; ^{amor.bchetnia@fsm.rnu.tn" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; J.P. Salvestrini^c ; ^d ; B. El Jani^a

关键词：High index GaAs ; GaN ; MOVPE ; Anisotropy ; Surface roughness

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2016

9.Growth of Bi₂Te₃ films and other phases of Bi-Te system by MOVPE

作者：P.I. Kuznetsov^a ; ^{pik218@ire216.msk.su} ; V.O. Yapaskurt^b ; B.S. Shchamkhalova^a ; V.D. Shcherbakov^b ; G.G. Yakushcheva^a ; V.A. Luzanov^a ; V.A. Jitov^a

关键词：A1. Solid solutions ; A1. X-ray diffraction ; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy ; B1. Bismuth compounds ; B2. Topological insulators

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

10.Study of the partial decomposition of GaN layers grown by MOVPE with different coalescence degree

作者：H. Bouazizi^a ; N. Chaaben^a ; ^{chaabennoureddine@yahoo.fr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Y. El Gmili^b ; A. Bchetnia^a ; J.P. Salvestrini^c ; ^b ; B. El Jani^a

关键词：A1. Decomposition ; A1. Coalescence ; A1. SEM ; A1. Roughness ; A3. MOVPE ; B2. GaN

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

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