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1.
Manufacturability of fully ion implanted planer-
doped
-
barrier
diode
s in GaAs
作者:
R. Gwilliam
;
Y.Y. Wang
;
M.J. Kelly and M.J. Kearney
关键词:
Ion implantation
;
Planar
-
doped
-
barrier
diode
;
GaAs
;
Detectors
刊名:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
出版年:2005
2.
GaAs
planar
doped
barrier
diode
s
作者:
Szentpá
;
li
;
B.
;
Van Tuyen
;
Vo
;
Constantinidis
;
G.
;
Lagadas
;
M.
关键词:
PDBD
;
Zero-bias detector
;
Thermionic emission
;
MBE
刊名:Materials Science and Engineering: B
出版年:2001
3.
DC and RF characteristics of MBE grown GaAs
barrier
diode
作者:
Guo
;
Fangmin
;
Li
;
Aizhen
;
Zheng
;
Yanlan
;
Wu
;
Jie
;
Xia
;
Guanqun
关键词:
84.30.Qi
;
85.30.Kk
;
A1.Characterization
;
A3.Molecular beam epitaxy
;
B1.Arsenides
刊名:Journal of Crystal Growth
出版年:2001
1
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2005年(1)
2001年(2)
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