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1.
Low thermal budget for Si and SiGe surface preparation for FD-SOI technology
作者:
M. Labrot
a
;
b
;
maxime.labrot@st.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author
;
F. Cheynis
b
;
D. Barge
a
;
P. Mü
;
ller
b
;
M. Juhel
a
关键词:
Si
;
SiGe
;
SiCoNi
&trade
;
preclean
;
FD-SOI
;
SiGe
B ;
WET clean
刊名:Applied Surface Science
出版年:2016
2.
Bulk FinFET fabrication with new approaches for oxide topography control using dry removal techniques
作者:
A. Redolfi
a
;
redolfi@imec.be
;
S. Kubicek
a
;
R. Rooyackers
a
;
M.-S. Kim
a
;
E. Sleeckx
a
;
K. Devriendt
a
;
D. Shamiryan
a
;
T. Vandeweyer
a
;
T. Delande
a
;
N. Horiguchi
a
;
M. Togo
a
;
J.M.D. Wouters
a
;
M. Jurczak
a
;
T. Hoffmann
a
;
A. Cockburn
b
;
V. Gravey
b
;
D.L. Diehl
c
关键词:
FinFET
;
Bulk FinFET
;
BFFT
;
STI
;
Field recess
;
Siconi
;
Co-fabrication
;
Co-integration
刊名:Solid-State Electronics
出版年:2012
3.
Investigation of Ni/Co bilayer salicidation process for sub-40 nm gate technology
作者:
Eun Ji Jung
;
Sug-Woo Jung
;
Hyun-Su Kim
;
Jong-Ho Yun
;
Seong Hwee Cheong
;
Byung Hee Kim
;
Gil Heyun Choi
;
Sung Tae Kim
;
U-In Chung
;
Joo Tae Moon and Byung Il Ryu
关键词:
Nickel/Cobalt bilayer
;
Thickness ratio
;
Thermal stability
;
Agglomeration
刊名:Microelectronic Engineering
出版年:2005
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