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1.Study of fin tapering effect in nanoscale symmetric dual-k spacer (SDS) hybrid FinFETs

作者：K.P. Pradhan ; ^{k.p.pradhan@ieee.org" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Priyanka ^{priyankarajputnit@gmail.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; P.K. Sahu ^{pksahu@nitrkl.ac.in" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Hybrid FinFETs ; Dual-k spacer ; Tapered trigate FinFETs ; Fin angle ; Fin height ; Short channel effects (SCEs)

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2017

2.Two methods of tuning threshold voltage of bulk FinFETs with replacement high-k metal-gate stacks

作者：Miao Xu^a ; ^b ; Huilong Zhu^a ; ^{zhuhuilong@ime.ac.cn} ; Yanbo Zhang^a ; ^{zhangyanbo@ime.ac.cn} ; Qiuxia Xu^a ; Yongkui Zhang^a ; Changliang Qin^a ; ^b ; Qingzhu Zhang^a ; ^b ; Huaxiang Yin^a ; ^b ; Hao Xu^a ; ^b ; Shuai Chen^a ; Jun Luo^a ; ^b ; Chunlong Li^a ; Chao Zhao^a ; ^b ; Tianchun Ye^a ; ^b

关键词：FinFET ; Halo ; Work function ; Punch through stop pocket ; Threshold voltage ; High k metal gate

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

3.Aging comparative analysis of high-performance FinFET and CMOS flip-flops

作者：Shiva Taghipour ; ^{taghipoor_shiva@yahoo.com} ; Rahebeh Niaraki Asli ^{niaraki@guilan.ac.ir}

关键词：Aging effect ; Bias Temperature Instability (BTI) ; FinFET ; Flip-flop ; Hot Carrier Injection (HCI)

刊名：Microelectronics Reliability

出版年：2017

4.Low frequency noise assessment in n- and p-channel sub-10 nm triple-gate FinFETs: Part II: Measurements and results

作者：D. Boudier^a ; ^{dimitri.boudier@ensicaen.fr} ; B. Cretu^b ; E. Simoen^c ; R. Carin^a ; A. Veloso^c ; N. Collaert^c ; A. Thean^c

关键词：Triple-gate ; FinFET ; Low frequency noise ; 1/f noise ; Generation recombination ; Traps

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

5.Underlapped FinFET on insulator: Quasi3D analytical model

作者：Vandana Kumari^a ; ^{vandanakumari511@gmail.com} ; K. Sharmetha^b ; ^{sharmetha208@gmail.com} ; Manoj Saxena^c ; ^{saxena_manoj77@yahoo.co.in} ; Mridula Gupta^d ; ^{mridula@south.du.ac.in}

关键词：FinFET ; ATLAS ; Underlap ; 3D modeling

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

6.Performance enhancement of AlGaN/GaN nanochannel omega-FinFET

作者：Ki-Sik Im^a ; Jae Hwa Seo^b ; Sindhuri Vodapally^b ; In Man Kang^b ; Jae-Hoon Lee^c ; Sorin Cristoloveanu^d ; Jung-Hee Lee^b ; ^{jlee@ee.knu.ac.kr}

关键词：AlGaN/GaN ; Nanochannel ; Omega-gate ; FinFET ; 2DEG ; Breakdown voltage ; Subthreshold slope

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

7.Low frequency noise assessment in n- and p-channel sub-10 nm triple-gate FinFETs: Part I: Theory and methodology

作者：D. Boudier^a ; ^{dimitri.boudier@ensicaen.fr} ; B. Cretu^b ; E. Simoen^c ; R. Carin^a ; A. Veloso^c ; N. Collaert^c ; A. Thean^c

关键词：Triple-gate ; FinFET ; Low frequency noise ; 1/f noise ; Generation-recombination ; Traps

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

8.DC and RF characterization of InGaAs replacement metal gate (RMG) nFETs on SiGe-OI FinFETs fabricated by 3D monolithic integration

作者：V. Deshpande^a ; ^{VEE@zurich.ibm.com} ; V. Djara^a ; E. O'Connor^a ; P. Hashemi^b ; K. Balakrishnan^b ; D. Caimi^a ; M. Sousa^a ; L. Czornomaz^a ; J. Fompeyrine^a

关键词：3D monolithic ; InGaAs ; RMG ; High-frequency ; FinFET

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

9.Asymmetrically doped stacked channel strained SOI FinFET

作者：Shashank Dubey ; ^{shashank.dubey@iiitdmj.ac.in} ; Pravin N. Kondekar ^{pnkondekar@iiitdmj.ac.in}

关键词：Asymmetric doping ; SSOI ; Threshold voltage ; OFF current ; Stack

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

10.Benchmarks of a III-V TFET technology platform against the 10-nm CMOS FinFET technology node considering basic arithmetic circuits

作者：S. Strangio^a ; ^{seb88str@gmail.com} ; P. Palestri^a ; M. Lanuzza^b ; D. Esseni^a ; F. Crupi^b ; L. Selmi^a

关键词：III-V ; TFET ; Full adders ; Ripple carry adders

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

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