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1.Effect of d-orbitals on the energy gap of group-III nitrides nanostructures

作者：N. Nouri ; G. Rashedi ; ^{rashedi@phys.ui.ac.ir}

关键词：Tight binding ; III-nitride ; Band structure ; Nanotube ; Nanoribbon

刊名：Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures

出版年：2017

2.Hot electron engineering for boosting electroluminescence efficiencies of silicon-rich nitride light emitting devices

作者：Y. Berencé ; n^a ; ¹ ; ^{y.berencen@hzdr.de} ; B. Mundet^a ; ² ; J.A. Rodrí ; guez^b ; ³ ; J. Montserrat^c ; C. Domí ; nguez^c ; B. Garrido^a

关键词：Hot electron engineering ; Silicon-rich nitride ; Electrical transport ; Electroluminescent devices

刊名：Journal of Luminescence

出版年：2017

3.Two single-layer porous gallium nitride nanosheets: A first-principles study

作者：Hui Zhang^a ; Fan-Sun Meng^b ; Yan-Bin Wu^a ; ^{yanbinwu@outlook.com}

关键词：A. Gallium nitride ; D. Electronic structure ; E. First-principles calculations

刊名：Solid State Communications

出版年：2017

4.Tuning the biocompatibility of aluminum nitride

作者：Nora G. Berg^a ; Tania Paskova^a ; ^b ; Albena Ivanisevic^a ; ^{ivanisevic@ncsu.edu}

关键词：Semiconductor ; Cell adhesion ; PC 12 cells ; Topography ; Surface functionalization ; Peptides ; Aluminum nitride

刊名：Materials Letters

出版年：2017

5.Inorganic salt-assisted fabrication of graphitic carbon nitride with enhanced photocatalytic degradation of Rhodamine B

作者：Lei Luo^a ; Anfeng Zhang^a ; Michael J. Janik^b ; Keyan Li^a ; Chunshan Song^a ; ^b ; ; Xinwen Guo^a ; ^{guoxw@dlut.edu.cn}

关键词：Porous materials ; Semiconductors ; Carbon materials

刊名：Materials Letters

出版年：2017

6.Bandgap engineering of ultrathin graphene-like carbon nitride nanosheets with controllable oxygenous functionalization

作者：Zhenyuan Teng^a ; ¹ ; Hongying Lv^a ; ¹ ; Chengyin Wang^a ; ^{wangcy@yzu.edu.cn} ; Huaiguo Xue^a ; Huan Pang^a ; ^{huanpangchem@hotmail.com} ; ^{panghuan@yzu.edu.cn} ; Guoxiu Wang^b

刊名：Carbon

出版年：2017

7.Study of narrow and intense UV electroluminescence from ITO/SRO/Si-p and ITO/SRN/SRO/Si-p based light emitting capacitors

作者：S.A. Cabañ ; as-Tay^a ; ^{scabanastay@hotmail.com} ; L. Palacios-Huerta^b ; M. Aceves-Mijares^b ; A. Coyopol^c ; F. Morales-Morales^a ; S.A. Pé ; rez-Garcí ; a^a ; L. Licea-Jimé ; nez^a ; C. Domí ; nguez-Horna^d ; K. Monfil-Leyva^c ; A. Morales-Sá ; nchez^a ; ^{alfredo.morales@cimav.edu.mx}

关键词：UV electroluminescence ; Resistive switching ; Silicon-rich oxide ; Silicon-rich nitride ; Indium tin oxide

刊名：Journal of Luminescence

出版年：2017

8.Fe-doped semi-insulating GaN with solid Fe source grown on (110) Si substrates by NH₃ molecular beam epitaxy

作者：Young Kyun Noh^a ; ^c ; ^{young.k.noh@gmail.com} ; Sang Tae Lee^b ; Moon Deock Kim^b ; Jae Eung Oh^a

关键词：A1.Characterization ; A1.Doping ; A3.Molecular beam epitaxy ; B1.Nitrides ; B2.Semiconducting III-V materials ; B3. Heterojunction semiconductor devices

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

9.Gate leakage currents induced by thermal fluctuation on two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

作者：Jian Peng^a ; Xiwen Liu^a ; Dong Ji^b ; Yanwu Lu^a ; ^{ywlu@bjtu.edu.cn}

关键词：Nitride semiconductor ; Heterostructure ; Two-dimensional electron gas ; Leakage current

刊名：Thin Solid Films

出版年：2017

10.A ternary photocatalyst of graphitic carbon nitride/cadmium sulfide/titania based on the electrostatic assembly using two-dimensional semiconductor nanosheets

作者：Chenjuan Zhou¹ ; Jiajia Qian¹ ; Jing Yan ; Xiaoping Dong ; ^{xpdong@zstu.edu.cn} ; Baocheng Zhou ; ^{zhoubc1982@zstu.edu.cn}

关键词：Two-dimensional nanosheets ; Electrostatic-assembly ; Gradient band structure ; Ternary photocatalyst

刊名：Journal of Colloid and Interface Science

出版年：2017

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