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在“Elsevier电子期刊”中，命中：646条，耗时：0.019986 秒

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1.Metal-insulator-SiC Schottky structures using HfO₂ and TiO₂ dielectrics

作者：I.R. Kaufmann^a ; ^{ivanrodrigo.kaufmann@gmail.com} ; A. Pick^b ; M.B. Pereira^b ; H. Boudinov^a ; ^b

关键词：MIS structure ; SiC ; Schottky barrier height ; HfO2 ; TiO2

刊名：Thin Solid Films

出版年：2017

2.Bipolar resistive switching and conduction mechanism of an Al/ZnO/Al-based memristor

作者：Fatih Gul^a ; ^{fatihgul@atauni.edu.tr} ; Hasan Efeoglu^a ; ^b

关键词：Memristor ; Zinc oxide ; Bipolar resistive switching ; Schottky emission ; Oxygen vacancies

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

3.Current-voltage characteristics of Au/PLiMMA/n-Si diode under ultraviolet irradiation

作者：Hayat Ç ; ulcu^a ; Muharrem Gö ; kç ; en^a ; ; Abdulkadir Allı^b ; Sema Allı^b

关键词：Schottky diode ; Graft copolymer ; Electrical properties ; UV irradiation ; Surface states density

刊名：Journal of Physics and Chemistry of Solids

出版年：2017

4.Observation of temperature effect on electrical properties of novel Au/Bi_0.7Dy_0.3FeO₃/ZnO/p-Si thin film MIS capacitor for MEMS applications

作者：Deepak Bhatia^a ; ^{keshav_eck26@yahoo.com} ; Sandipta Roy^b ; S. Nawaz^b ; R.S. Meena^c ; V.R. Palkar^a

关键词：BDFO/ZnO ; PLD ; Multiferroic ; Ideality factor ; Barrier height

刊名：Microelectronic Engineering

出版年：2017

5.Fabrication and electrical characterization of Al/p-ZnIn₂Se₄ thin film Schottky diode structure

作者：D.K. Dhruv ; ^{dhananjaydhruv@rediffmail.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; B.H. Patel

关键词：Flash evaporation ; Al/p-ZnIn2Se4 Schottky diode ; I-V and C-V characteristics ; Schottky barrier height (SBH) ; Energy band diagram

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2016

6.Electrical characterization of Au/ZnO thin film Schottky diode on silicon substrate

作者：Lintu Rajan ; ^{linturajan08@gmail.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; C. Periasamy ; Vineet Sahula

关键词：Zinc oxide ; Gold ; Thin film ; Schottky diode ; Electrical characterization

刊名：Perspectives in Science

出版年：2016

7.Transport mechanisms of leakage current in Al₂O₃/InAlAs MOS capacitors

作者：Chengji Jin ; Hongliang Lu ; ^{hllv@mail.xidian.edu.cn" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Yimen Zhang ; Yuming Zhang ; He Guan ; Lifan Wu ; Bin Lu ; Chen Liu

关键词：Metal&ndash ; oxide&ndash ; semiconductor capacitors ; Leakage current ; Schottky emission ; Frenkel&ndash ; Poole emission

刊名：Solid State Electronics

出版年：2016

8.Schottky barrier parameters and low frequency noise characteristics of graphene-germanium Schottky barrier diode

作者：Zagarzusem Khurelbaatar^a ; ^b ; Yeon-Ho Kil^a ; Kyu-Hwan Shim^a ; Hyunjin Cho^c ; Myung-Jong Kim^c ; Sung-Nam Lee^d ; Jae-chan Jeong^e ; Hyobong Hong^e ; Chel-Jong Choi^a ; ^{cjchoi@jbnu.ac.kr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Graphene ; 1/f noise ; Schottky contact ; Ge ; Current noise power spectral density

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2016

9.Frequency dependent negative capacitance effect and dielectric properties of swift heavy ion irradiated Ni/oxide/n-GaAs Schottky diode

作者：A. Bobby^a ; ^{achammajohn@yahoo.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; N. Shiwakoti^a ; S. Verma^b ; K. Asokan^b ; B.K. Antony^a

关键词：Schottky diodes ; Interfaces ; Semiconductors ; Thin films ; Vapor deposition ; Dielectric properties

刊名：Physica B: Physics of Condensed Matter

出版年：2016

10.Effects of Ta-oxide interlayer on the Schottky barrier parameters of Ni/n-type Ge Schottky barrier diode

作者：Hoon-Ki Lee^a ; I. Jyothi^a ; V. Janardhanam^a ; Kyu-Hwan Shim^a ; Hyung-Joong Yun^a ; ^b ; Sung-Nam Lee^c ; Hyobong Hong^d ; Jae-Chan Jeong^d ; Chel-Jong Choi^a ; ^{cjchoi@jbnu.ac.kr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Schottky barrier diode ; Ta-oxide ; Interface states ; Ge ; Ni ; Current conduction

刊名：Microelectronic Engineering

出版年：2016

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