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SpringerLink电子期刊(384)
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条
1.
Theoretical Study and Simulations of an
InGaN
Dual-Junction Solar Cell
作者:
A. Mesrane
;
A. Mahrane
;
F. Rahmoune
;
A. Oulebsir
关键词:
Band gap combination
;
dual
;
junction solar cell
;
InGaN
;
current match
;
efficiency
刊名:Journal of Electronic Materials
出版年:2017
2.
Numerical Investigation of
InGaN
Light-Emitting Diode with Al/In-Graded
p
-AlGaN/InGaN Superlattice Electron-Blocking Layer
作者:
Si-Ming Zeng
;
Shu-Wen Zheng
;
Guang-Han Fan
关键词:
Light
;
emitting diodes
;
AlGaN/
InGaN
superlattice
;
numerical simulation
;
efficiency droop
刊名:Journal of Electronic Materials
出版年:2017
3.
Characterization of quaternary Al
InGaN
films obtained by incorporating Al into InGaN film with the RF reactive magnetron sputtering technology
作者:
Kaifan Lin
;
Dong-Hau Kuo
刊名:Journal of Materials Science: Materials in Electronics
出版年:2017
4.
Red Light-Emitting Diode Based on Blue
InGaN
Chip with CdTe
x
S
(1 −
x
)
Quantum Dots
作者:
Rongfang Wang
;
Xingming Wei
;
Liqin Qin
;
Zhihui Luo…
关键词:
Luminescence
;
Optical materials and properties
;
Semiconductors
刊名:Nanoscale Research Letters
出版年:2017
5.
On the effect of ballistic overflow on the temperature dependence of the quantum efficiency of
InGaN
/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
作者:
I. A. Prudaev
;
V. V. Kopyev
;
I. S. Romanov
;
V. L. Oleynik
刊名:Semiconductors
出版年:2017
6.
InGaN
/GaN light-emitting diode microwires of submillimeter length
作者:
W. V. Lundin
;
S. N. Rodin
;
A. V. Sakharov
;
E. Yu. Lundina
;
S. O. Usov…
刊名:Semiconductors
出版年:2017
7.
Analytical study on the temperature dependence of
InGaN
p–n junction solar cell under concentrated light intensity
作者:
A. Mesrane
;
A. Mahrane
;
F. Rahmoune
;
A. Oulebsir
刊名:Applied Physics A
出版年:2017
8.
Formation properties of an
InGaN
active layer for high-efficiency InGaN/GaN multi-quantum-well-nanowire light-emitting diodes
作者:
Sung Won Hwang
;
Bongsoo Lee
;
Suk-Ho Choi
关键词:
GaN
;
InGaN
;
Nanowires
;
Multi quantum wells
;
Core
;
shell
;
Light
;
emitting diodes
刊名:Journal of the Korean Physical Society
出版年:2016
9.
Electroreflectance spectra from multiple
InGaN
/GaN quantum wells in the nonuniform electric field of a
p–n
junction
作者:
L. P. Avakyants
;
A. E. Aslanyan
;
P. Yu. Bokov
;
K. Yu. Polozhentsev…
刊名:Semiconductors
出版年:2017
10.
A Model Describing the Band Gap Energy of the Strained In
x
Ga
1−
x
N
y
Sb
z
As
1−
作者:
Chuan-Zhen Zhao
;
Qiang Fu
;
Tong Wei
;
Sha-Sha Wang…
关键词:
InGaN
AsSb
;
N level
;
band gap energy
;
dilute nitride
刊名:Journal of Electronic Materials
出版年:2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
按检索点细分(384)
题名(232)
作者(20)
关键词(93)
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