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1. Effect of boron incorporation on slow interface traps in SiO₂/4H-SiC structures

作者： Dai Okamoto ; Mitsuru Sometani ; Shinsuke Harada ; Ryoji Kosugi…

刊名：Applied Physics A

出版年：2017

2. Tuning Side Chain and Main Chain Order in a Prototypical Donor–Acceptor Copolymer: Implications for Optical, Electronic, and Photovoltaic Characteristics

关键词：Aggregate states ; All‐polymer heterojunctions ; Alternating copolymers ; Ambipolar charge transport ; Ambipolar materials ; Backbone modifications ; Bilayer solar cells ; Charge separation ; Conformational disorder ; Crystalline phases ; Donor–acceptor copolymers ; Electron traps ; Energetic disorder ; Energy‐level alignment ; Fermi‐level alignment ; Fermi‐level pinning ; Interface dipole ; Interlayer ; Intrachain order ; Intragap states ; Microscopic morphology ; Mobility imbalance ; Mobility relaxation ; Monte Carl

刊名：Advances in Polymer Science

出版年：2017

3. Microstructure Hierarchical Model of Competitive e⁺-Ps Trapping in Nanostructurized Substances: from Nanoparticle-Uniform to Nanoparticle-Biased Systems

作者： Oleh Shpotyuk ; Adam Ingram ; Zdenka Bujňáková ; Peter Baláž

关键词：Nanoparticles ; Positron annihilation ; Nanocomposite ; Mechanochemical milling

刊名：Nanoscale Research Letters

出版年：2017

4. Energetic states in SnO₂–TiO₂ structures and their impact on interfacial charge transfer process

作者： David Ramírez-Ortega ; Próspero Acevedo-Peña…

刊名：Journal of Materials Science

出版年：2017

5. Enhancing persistent luminescence and photocatalytic properties in Ti as a trap center in ZnGa₂O₄

作者： Haiju Huang ; Yinhai Wang ; Hong Li ; Jun Li…

刊名：Journal of Materials Science: Materials in Electronics

出版年：2017

6. Electron traps in poly(diphenylene phthalide) and poly(diphenylene sulfophthalide). Experimental manifestations and quantum chemical analysis

作者： N. M. Shishlov ; S. L. Khursan

关键词：poly(diphenylene phthalide) ; poly(diphenylene sulfophthalide) ; electron traps ; density functional theory ; electron affinity

刊名：Russian Chemical Bulletin

出版年：2015

7. Formation of Ni Diffusion-Induced Surface Traps in GaN/Al x Ga1↿em>x N/GaN Heterostructures on Silicon Substrate During Gate Metal Depos

作者： R. S. Kajen ; L. K. Bera ; H. R. Tan ; S. B. Dolmanan…

关键词：GaN ; Si substrate ; traps ; metal diffusion ; Schottky contact

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2016

8. Direct exchange between silicon nanocrystals and tunnel oxide traps under illumination on single electron photodetector

作者： S. Chatbouri ; M. Troudi ; N. Sghaier ; A. Kalboussi ; V. Aimez ; D. Drouin…

刊名：Semiconductors

出版年：2016

9. Charge characteristics of MOS structure with thermal SiO2 films doped with phosphorus under high-field electron injection

作者： D. V. Andreev ; G. G. Bondarenko ; A. A. Stolyarov

刊名：Inorganic Materials: Applied Research

出版年：2016

10. Si–Si bond as a deep trap for electrons and holes in silicon nitride

作者： A. A. Karpushin ; A. N. Sorokin ; V. A. Gritsenko

刊名：JETP Letters

出版年：2016

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