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1. Radiation-Induced Fault Simulation of SOI/SOS CMOS LSI’s Using Universal Rad-SPICE MOSFET Model

作者： Konstantin O. Petrosyants ; Lev M. Sambursky…

关键词：SOI CMOS circuits ; Fault modeling and simulation ; Radiation hardness ; TID ; Dose rate ; Single events ; Compact SPICE models ; Novel RH SOI MOS structures ; Model parameter extraction

刊名：Journal of Electronic Testing

出版年：2017

2. Strained Germanium Quantum Well PMOSFETs on SOI with Mobility Enhancement by External Uniaxial Stress

作者： Yan Liu ; Jiebin Niu ; Hongjuan Wang ; Genquan Han ; Chunfu Zhang…

关键词：Germanium ; MOSFET ; Mobility ; Quantum well

刊名：Nanoscale Research Letters

出版年：2017

3. An Analytical Threshold Voltage Model of Fully Depleted (FD) Recessed-Source/Drain (Re-S/D) SOI MOSFETs with Back-Gate Control

作者： Gopi Krishna Saramekala ; Pramod Kumar Tiwari

关键词：Fully depleted (FD) ; recessed ; source/drain (Re ; S/D) ; SOI MOSFET ; back ; gate control ; buried oxide (BOX) ; threshold voltage controllability

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2016

4. Four-Port Network Parameters Extraction Method for Partially Depleted SOI with Body-Contact Structure

作者： Jun Liu ; Yu Ping Huang ; Kai Lu

关键词：SOI MOSFET4 ; port S ; parameter ; Modeling

刊名：Journal of Electronic Testing

出版年：2016

5. Underlap channel silicon-on-insulator quantum dot floating-gate MOSFET for low-power memory applications

作者： Chetan T. Dabhi ; Ganesh C. Patil

关键词：Floating gate ; Silicon ; on ; insulator ; Static power dissipation ; Capacitive coupling ratio ; Underlap ; Short ; channel effects

刊名：Journal of Computational Electronics

出版年：2016

6. Analytical subthreshold current and subthreshold swing models of short-channel dual-metal-gate (DMG) fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) SOI MOSFETs

作者：Gopi Krishna Saramekala (1)
Abirmoya Santra (1)
Mirgender Kumar (2)
Sarvesh Dubey (3)
Satyabrata Jit (2)
Pramod Kumar Tiwari (1)

关键词：Recessed ; source/drain (Re ; S/D) ; Dual ; metal ; gate (DMG) ; Fully ; depleted silicon ; on ; insulator (FD ; SOI) MOSFET ; Subthreshold current and swing

刊名：Journal of Computational Electronics

出版年：2014

7. Performance analysis of fully depleted triple material surrounding gate (TMSG) SOI MOSFET

作者：P. Suveetha Dhanaselvam (1)
N. B. Balamurugan (2)

关键词：Triple material Surrounding Gate (TMSG) MOSFETs ; Short channel effects (SCE) ; Surface potential ; Work function

刊名：Journal of Computational Electronics

出版年：2014

8. Density dependence of electron mobility in the accumulation mode for fully depleted SOI films

作者： O. V. Naumova ; E. G. Zaitseva ; B. I. Fomin ; M. A. Ilnitsky ; V. P. Popov

刊名：Semiconductors

出版年：2015

9. Numerical evaluation of the ITRS transistor scaling

作者： Roland Nagy ; Alex Burenkov ; Jürgen Lorenz

关键词：ITRS ; Bulk ; silicon ; SOI ; Double ; gate MOSFET ; Scaling ; DIBL ; Sub ; threshold slope

刊名：Journal of Computational Electronics

出版年：2015

10. Controlling the ON-resistance in SOI LDMOS using parasitic bipolar junction transistor

作者：Avikal Bansal (1)
M. Jagadesh Kumar (1)

关键词：2D numerical simulation ; Laterally double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor (LDMOSFET) ; ON ; resistance ; Parasitic BJT ; Power MOSFET ; Silicon on insulator (SOI)

刊名：Journal of Computational Electronics

出版年：2014

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