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1. Capacitance and Conductance–Frequency Characteristics of Au/n-Si Schottky Structure with Perylene-Diimide (PDI) Organic Interlayer

作者： Ö. F. Yüksel ; M. Kuş ; M. Yıldırım

关键词：Schottky device ; perylene ; diimide ; spin coating ; interface trap density ; relaxation time

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2017

2. Fabrication of p-type ZnTe NW/In Schottky diodes for high-speed photodetectors

作者： Yuan Chang ; Di Wu ; Tingting Xu ; Zhifeng Shi…

刊名：Journal of Materials Science: Materials in Electronics

出版年：2017

3. Design and Performance of (Au,Yb)/ZnS/InSe/C Heterojunctions as Plasmon Resonators, Photodetectors and Microwave Cavities

作者： Najla M. Khusayfan ; Hazem K. Khanfar

关键词：Plasmon ; ZnS ; InSe ; terahertz ; gigahertz ; high responsivity

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2017

4. Analysis of Blockade in Charge Transport Across Polymeric Heterojunctions as a Function of Thermal Annealing: A Different Perspective

作者： Sonika Rathi ; Gayatri Chauhan ; Saral K. Gupta…

关键词：Conducting polymers ; heterostructure ; electrical transport ; solar cells ; dielectric constant

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2017

5. Determination of the thickness of an electrodeposited thorium film with SiC alpha detectors

作者： Josh Jarrell ; Milan Stika ; Max Chaiken…

关键词：Alpha spectrometry ; SiC ; Electrodeposition ; Thin film ; Molten salt

刊名：Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry

出版年：2017

6. The influence of electrode contact on the anodization of Pt/sol–gel derived SrTiO₃ thin film/Al capacitor

作者： Manwen Yao ; Fei Li ; Qiuxia Li ; Kaien Xu…

刊名：Journal of Materials Science: Materials in Electronics

出版年：2017

7. Analysis of inhomogeneous device parameters using current–voltage characteristics of identically prepared lateral Schottky structures

作者： N. Tuğluoğlu ; H. Koralay ; K. B. Akgül ; Ş. Çavdar

关键词：Schottky structure ; Current–voltage ; Barrier height ; Ideality factor ; Series resistance ; Interface state density ; 73.40.Sx ; 85.30.Hi ; 85.30.Kk

刊名：Indian Journal of Physics

出版年：2016

8. Effect of oxygen plasma treatment on the electrical characteristics of Pt/n-type Si Schottky diodes

作者： V. Janardhanam ; I. Jyothi ; Shim-Hoon Yuk…

关键词：Oxygen plasman ; type Si ; Schottky barrier ; Series resistance ; Interface states

刊名：Journal of the Korean Physical Society

出版年：2016

9. A simple synthesis of Ag2+x Se nanoparticles and their thin films for electronic device applications

作者： Duc Quy Vo ; Dang Duc Dung ; Sunglae Cho…

关键词：Silver Selenide ; Optical Property ; Magnetoresistance ; Schottky Diode

刊名：Korean Journal of Chemical Engineering

出版年：2016

10. Hydrogen Gas Sensor Based on Nanocrystalline SnO2 Thin Film Grown on Bare Si Substrates

作者： Imad H. Kadhim ; H. Abu Hassan ; Q. N. Abdullah

关键词：SnO2 ; Glycerin ; Sol–gel ; Schottky contact ; Hydrogen sensor

刊名：Nano-Micro Letters

出版年：2016

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