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条
1.
大尺寸
HVPE
反应室生长GaN的数值模拟
作者:
朱宇霞
;
陈琳
;
顾世浦
;
修向前
;
张荣
;
郑有炓
关键词:
氢化物气相外延(
HVPE
)
;
氮化镓(GaN)
;
数值模拟
;
生长速率
;
相对均匀性
年:2018
2.
大尺寸
HVPE
反应器寄生沉积的数值模拟研究
作者:
黄业
;
左然
;
唐斌龙
;
张红
;
刘鹏
;
张国义
关键词:
HVPE
反应器
;
GaN
;
寄生沉积
;
数值模拟
年:2017
3.
HVPE
生长的高质量GaN纳米柱的光学性能
作者:
陈琳
;
王琦楠
;
陈丁丁
;
陶志阔
;
修向前
关键词:
氢化物气相外延(
HVPE
)
;
氮化镓
;
纳米柱
;
气-液-固(VLS)机制
;
光致荧光
年:2017
4.
Application of halide vapor phase epitaxy for the growth of ultrawide band gap Ga_2O_3
作者:
Xiangqian
;
Xiu
;
Liying
;
Zhang
;
Yuewen
;
Li
;
Zening
;
Xiong
;
Rong
;
Zhang
;
Youdou
;
Zheng
年:2019
5.
HVPE
GaN生长中TiN网栅的制备和作用
作者:
张嵩
;
齐成军
;
王再恩
;
孙科伟
关键词:
MOCVD-GaN
;
TiN网栅
;
多孔GaN
;
退火
;
氢化物气相外延(
HVPE
)
;
热应力
年:2018
6.
大尺寸
HVPE
反应器托盘温度的数值模拟研究
作者:
赵江
;
左然
;
刘鹏
;
童玉珍
;
张国义
关键词:
HVPE
反应器
;
数值模拟
;
温场
年:2015
7.
HVPE
生长基座结构优化
作者:
程红娟
;
张嵩
;
徐永宽
;
郝建民
关键词:
模拟
;
GaN
;
HVPE
;
基座
;
衬底
年:2014
8.
Ti掩膜图形层对外延生长GaN薄膜晶体质量的影响
作者:
张嵩
;
孙科伟
;
王再恩
;
程红娟
关键词:
氢化物气相外延(
HVPE
)
;
蓝宝石衬底
;
GaN
;
掩膜图形
;
晶格失配
年:2018
9.
基于自支撑GaN和蓝宝石衬底AlGaN/GaN MISHEMT器件对比
作者:
李淑萍
;
孙世闯
;
张宝顺
关键词:
氢化物气相外延(
HVPE
)GaN衬底
;
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
;
AlGaN/GaN金属绝缘半导体高电子迁移率晶体管(MISHEMT)
;
同质外延
;
电流崩塌
年:2017
10.
HVPE
反应器的环形分隔进口数对生长均匀性的影响
作者:
赖晓慧
;
左然
;
师珺草
;
刘鹏
;
童玉珍
;
张国义
关键词:
HVPE
;
GaN
;
环形进口
;
反应器设计
;
数值模拟
年:2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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