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1.
基于高低压兼容工艺的高压驱动集成电路
作者:
乔明
关键词:
SOI
;
REBULF
;
IFO技术
;
背栅效应
;
高压互连
论文级别:
博士
学位年度:2008
2.
薄漂移区横向高压器件耐压模型及新结构
作者:
李琦
关键词:
RESURF
;
薄漂移区
;
解析模型
;
电场调制
;
电荷共享
;
表面电场
论文级别:
博士
学位年度:2008
3.
高介电常数材料在功率器件上的应用研究与新器件的实现
作者:
李俊宏
关键词:
高介电常数介质
;
功率器件
;
超强积累效应
;
电场调制效应
;
边缘峰值电场
论文级别:
博士
学位年度:2013
4.
横向高压DMOS体内场优化与新结构
作者:
成建兵
关键词:
横向DMOS
;
体内场优化
;
优值
;
纵向结终端技术
论文级别:
博士
学位年度:2009
5.
原子层淀积金属氧化物阻变存储器件研究
作者:
陈琳
关键词:
电阻式存储器
;
非挥发存储器
;
金属氧化物
;
原子层淀积
;
导电熔丝
;
多值存储
;
阻变机制
论文级别:
博士
学位年度:2012
6.
高压SOI LDMOS器件结构设计与模拟研究
作者:
葛梅
关键词:
SOI
;
击穿电压
;
比导通电阻
;
浮栅
;
沟槽
论文级别:
硕士
学位年度:2011
7.
Zn_(0.98)Co_(0.02)O/PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3异质结的制备及其磁性能研究
作者:
彭雄俊
关键词:
稀磁半导体
;
铁电体
;
异质结
;
铁磁性
;
脉冲激光沉积
论文级别:
硕士
学位年度:2011
8.
横向超结功率器件的REBULF理论与新技术
作者:
王文廉
关键词:
功率器件
;
超结
;
LDMOS
;
衬底辅助耗尽
;
REBULF
论文级别:
博士
学位年度:2010
9.
横向高压器件
电场调制效应
及新器件研究
作者:
段宝兴
关键词:
LDMOS
;
REBULF
;
ENDIF
;
电场调制
;
衬底终端技术
论文级别:
博士
学位年度:2007
10.
SOI横向高压器件耐压模型和新器件结构研究
作者:
郭宇锋
关键词:
SOI
;
击穿电压
;
RESURF
;
INBOLF
;
模型
论文级别:
博士
学位年度:2005
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