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条
1.
二氧化铪体系电子结构及硅纳米线力学行为的第一性原理研究
作者:
陈国红
关键词:
密度泛函理论
;
第一性原理计算
;
高介电常数材料
;
电子结构计算
;
掺杂
;
d~0铁磁性
;
能带偏移
;
硅纳米线
;
断裂机制
论文级别:
博士
学位年度:2010
2.
量子点光学性质的经验赝势计算
作者:
龚明
关键词:
量子点
;
量子阱
;
单光子源
;
纠缠光源
;
激子
;
精细结构劈裂
;
k·p方法
;
经验赝势
;
紧束缚模型
;
自旋轨道耦合
;
极化子
;
光学声子
;
强耦合
论文级别:
博士
学位年度:2010
3.
Si基应变三维CMOS关键技术研究
作者:
舒斌
关键词:
应变硅/应变硅锗
;
三维
;
低温/高真空
;
绝缘体上硅
;
共栅CMOS
论文级别:
博士
学位年度:2007
4.
几种半导体材料的光电子能谱研究
作者:
管和松
关键词:
ZnO
;
Alq_3
;
SnO_2
;
光电子能谱
论文级别:
博士
学位年度:2009
5.
多元半导体及其合金的第一性原理计算研究
作者:
陈时友
关键词:
多元半导体
;
合金半导体
;
硫族化合物
;
Cu_2ZnSnS_4
;
超硬材料BC_2N
;
第一性原理计算
论文级别:
博士
学位年度:2009
6.
铪基高k栅介质薄膜和白色长余辉材料Ca_xMgSi_2O_(5+x):Dy~(3+)的研究
作者:
程学瑞
关键词:
高介电常数
;
栅介质薄膜
;
脉冲激光沉积
;
白色长余辉
论文级别:
博士
学位年度:2010
7.
ZnO基光电薄膜的物性研究及光电器件的设计与制备
作者:
邓蕊
关键词:
磁控溅射
;
ZnO
;
Ag掺杂
;
NiO
;
紫外探测器
论文级别:
博士
学位年度:2011
8.
新型半导体材料的电输运特性研究
作者:
潘葳
关键词:
电输运
;
硅量子点
;
InN
;
量子共振隧穿
;
晶界势垒
;
负电容
论文级别:
博士
学位年度:2007
9.
分子束外延生长Er_2O_3高k栅介质材料的物理特性研究及硅基磁性半导体材料的制备
作者:
陈圣
关键词:
高k材料
;
磁性半导体
;
分子束外延
;
三氧化二铒
论文级别:
博士
学位年度:2007
10.
铪基高介电常数栅介质薄膜的制备及其物性研究
作者:
刘毛
关键词:
高介电常数栅介质材料
;
磁控溅射
;
光学常数
;
界面层
;
晶化温度
论文级别:
博士
学位年度:2007
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