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CNKI学位论文
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114
条
1.
应变Si载流子迁移率研究
作者:
王晓艳
关键词:
应变Si
;
散射几率
;
动量弛豫时间
;
占有率
;
载流子迁移率
论文级别:
博士
学位年度:2012
2.
ALD淀积高k栅介质材料与器件特性研究
作者:
匡潜玮
关键词:
高k栅介质
;
原子层淀积
;
能带结构
;
漏电机制
;
频率色散
;
高场输运
论文级别:
博士
学位年度:2013
3.
高介电常数材料在功率器件上的应用研究与新器件的实现
作者:
李俊宏
关键词:
高介电常数介质
;
功率器件
;
超强积累效应
;
电场调制效应
;
边缘峰值电场
论文级别:
博士
学位年度:2013
4.
纳米MOSFET量子效应模型与寄生电阻分析
作者:
孙家讹
关键词:
MOSFET
;
阈值电压
;
栅电容
;
寄生电阻
论文级别:
硕士
学位年度:2007
5.
高K介质栅纳米MOSFET特性及相关器件效应的研究
作者:
李桂芳
关键词:
边缘隧穿电流
;
边缘电场效应
;
高K栅介质
;
关态泄漏电流
论文级别:
硕士
学位年度:2008
6.
超深亚微米SiGe SOI MOSFETs的特性研究
作者:
孙立伟
关键词:
量子阱
;
双栅
;
双应变沟道
;
瞬态特性
论文级别:
硕士
学位年度:2008
7.
HfTaO高介电绝缘层铁电晶体管的制备与性能研究
作者:
徐晓磊
关键词:
铁电晶体管
;
保持性
;
铁电晶体管闪存
;
铁电晶体管动态随机存储器
论文级别:
硕士
学位年度:2011
8.
铪基高k薄膜的制备及退火对其物性的影响
作者:
董尧君
关键词:
高k薄膜
;
退火
;
结构
;
电学特性
论文级别:
硕士
学位年度:2012
9.
32纳米器件漏电失效准确性的判别方法研究
作者:
周明
关键词:
良率提升
;
测试结构
;
缺陷率
;
漏电失效缺陷
;
缺陷判定
;
spec设置
论文级别:
硕士
学位年度:2011
10.
硅基应变MOSFET的研究和设计
作者:
秦珊珊
关键词:
硅基应变
;
MOSFET
;
阈值电压
;
亚阈电流
;
高k栅介质
;
栅漏电流
论文级别:
博士
学位年度:2011
1
2
3
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5
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